半导体结构及其制作方法技术

本揭露实施例是有关于一种半导体结构及其制作方法。一种半导体结构包括第一半导体器件、第二半导体器件、连接器件以及重布线路结构。第一半导体器件接合在第二半导体器件上。连接器件接合在第二半导体器件上且排列在第一半导体器件旁边，其中连接器件包括第一衬底及多个导通孔，导通孔穿透过第一衬底且电连接到第二半导体器件。重布线路结构位于第二半导体器件之上，其中第一半导体器件及连接器件位于重布线路结构与第二半导体器件之间。重布线路结构及第一半导体器件通过连接器件的导通孔电连接到第二半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制作方法
本专利技术实施例是有关于一种半导体结构及其制作方法。
技术介绍
各种电子应用(例如，手机及其他移动电子设备)中所使用的半导体器件及集成电路通常是在单个半导体晶片上制造。在晶片级工艺中，可对晶片的管芯进行加工并与其他半导体装置或其他管芯封装在一起，且已针对晶片级封装开发了各种技术。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种半导体结构包括第一半导体器件、第二半导体器件、连接器件以及重布线路结构。第一半导体器件接合在第二半导体器件上。连接器件接合在第二半导体器件上且排列在第一半导体器件旁边，其中连接器件包括第一衬底及多个导通孔，导通孔穿透过第一衬底且电连接到第二半导体器件。重布线路结构位于第二半导体器件之上，其中第一半导体器件及连接器件位于重布线路结构与第二半导体器件之间。重布线路结构及第一半导体器件通过连接器件的导通孔电连接到第二半导体器件。附图说明接合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n第一半导体器件及第二半导体器件，其中所述第一半导体器件接合在所述第二半导体器件上；/n连接器件，接合在所述第二半导体器件上且排列在所述第一半导体器件旁边，其中所述连接器件包括第一衬底及多个导通孔，所述多个导通孔穿透过所述第一衬底且电连接到所述第二半导体器件；以及/n重布线路结构，位于所述第二半导体器件之上，其中所述第一半导体器件及所述连接器件位于所述重布线路结构与所述第二半导体器件之间，/n其中所述重布线路结构及所述第一半导体器件通过所述连接器件的所述多个导通孔电连接到所述第二半导体器件。/n

【技术特征摘要】
20190624 US 62/865,325;20200408 US 16/843,8601.一种半导体结构，包括：
第一半导体器件及第二半导体器件，其中所述第一半导体器件接合在所述第二半导体器件上；
连接器件，接合在所述第二半导体器件上且排列在所述第一半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明发，叶松峯，刘醇鸿，史朝文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71