一种存储器以及一种存储器的制作方法技术

本申请公开了一种存储器以及一种存储器的制作方法，该存储器包括：衬底、电路走线层、第一绝缘层、连接元件、导电支柱、第二绝缘层和存储元件，其中，所述第一绝缘层具有第一通孔，所述连接元件位于所述第一通孔内，所述导电支柱电连接所述连接元件和所述存储元件，所述导电支柱朝向所述连接元件一侧端面尺寸不小于所述第一通孔朝向所述导电支柱一侧端面尺寸与第一迭对冗余量之和，使得所述导电支柱朝向所述连接元件一侧端面完全覆盖所述连接元件，能够阻挡位于所述第一通孔中的所述连接元件的材料从所述第一通孔中扩散出来，降低所述存储器发生短路的概率，提高所述存储器的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种存储器以及一种存储器的制作方法
本申请涉及半导体制造领域，尤其涉及一种存储器以及一种存储器的制作方法。
技术介绍
近年来，随着电子产品的普及和发展，市场对存储器的需求急剧增长，相应的，半导体存储器的集成度越来越高，尺寸越来越小。现有存储器通常包括衬底、底部电路、与所述底部电路电连接的导电通孔、存储元件以及连接所述导电通孔和所述存储元件的导电支柱。但是，现有存储器的制作工艺中，所述导电通孔中的材料容易扩散出来，影响所述存储器的性能。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种存储器及其制作方法，以降低所述导电通孔中的材料扩散出来的概率，提高所述存储器的性能。具体的，本申请实施例提供了一种存储器，包括：衬底；位于所述衬底上的电路走线层；位于所述电路走线层背离所述衬底一侧的第一绝缘层，所述第一绝缘层中具有第一通孔；位于所述第一通孔内的连接元件；位于所述第一绝缘层背离所述电路走线层一侧的导电支柱和第二绝缘层；位于所述导电支柱背离所述第一绝缘层一侧的存储元件；<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底上的电路走线层；/n位于所述电路走线层背离所述衬底一侧的第一绝缘层，所述第一绝缘层中具有第一通孔；/n位于所述第一通孔内的连接元件；/n位于所述第一绝缘层背离所述电路走线层一侧的导电支柱和第二绝缘层；/n位于所述导电支柱背离所述第一绝缘层一侧的存储元件；/n其中，所述导电支柱电连接所述连接元件与所述存储元件，且所述导电支柱朝向所述连接元件一侧端面尺寸不小于所述第一通孔朝向所述导电支柱一侧端面尺寸与第一迭对冗余量之和。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的电路走线层；
位于所述电路走线层背离所述衬底一侧的第一绝缘层，所述第一绝缘层中具有第一通孔；
位于所述第一通孔内的连接元件；
位于所述第一绝缘层背离所述电路走线层一侧的导电支柱和第二绝缘层；
位于所述导电支柱背离所述第一绝缘层一侧的存储元件；
其中，所述导电支柱电连接所述连接元件与所述存储元件，且所述导电支柱朝向所述连接元件一侧端面尺寸不小于所述第一通孔朝向所述导电支柱一侧端面尺寸与第一迭对冗余量之和。


2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储元件朝向所述导电支柱一侧端面的尺寸不小于所述导电支柱朝向所述存储元件一侧的端面的尺寸与第二迭对冗余量之和。


3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第二绝缘层背离所述第一绝缘层一侧表面与所述导电支柱背离所述第一绝缘层一侧表面平齐。


4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述导电支柱包括层叠的第一导电支柱和第二导电支柱，所述第一导电支柱对所述连接元件中材料扩散的阻挡效果大于所述第二导电支柱对所述连接元件中材料扩散的阻挡效果，所述第二导电支柱的导电系数不小于所述第一导电支柱的导电系数。


5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述第一导电支柱的材料为Ta、TaN或TiN，所述第二导电支柱的材料为Ta或TiN。


6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述连接元件的材料为铜、钨或氮化钽。


7.根据权利要求1所述的存...

【专利技术属性】
技术研发人员：左正笏，王曙光，李辉辉，申力杰，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33