【技术实现步骤摘要】
薄膜制备装置、薄膜制备装置的控制方法与控制装置
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种薄膜制备装置、薄膜制备装置的控制方法、控制装置与薄膜制备系统。
技术介绍
薄膜的厚度、消光系数、反射率的均匀性会影响后续过程中的关键尺寸。现有技术中，在化学气相沉积(Chemicalvapordeposition，简称CVD)法形成薄膜的过程中，通过调整加热器的内外圈温度来改善薄膜厚度、消光系数以及反射系数的均匀性。但是，无法调整薄膜局部的相关参数，相关参数包括厚度、消光系数和/或反射系数，以改善这些参数的均匀性，从而对后续的刻蚀的关键尺寸造成不良影响。在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
技术介绍
的理解，因此，
技术介绍
中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
本申请的主要目的在于提供一种薄膜制备装置、薄膜制备装置的控制方法、控制装置与薄膜制备系统，以解决现有技术中难以调整薄膜局部的相关参数的问题。为了实现上述目的，根据本申请的...
【技术保护点】
1.一种薄膜制备装置，其特征在于，包括：/n壳体，具有反应腔体；/n支撑结构，位于所述反应腔体内；/n加热器，位于所述反应腔体内的所述支撑结构上；/n热辐射结构，位于所述反应腔体的底壁和所述加热器之间，所述热辐射结构在所述加热器上的投影位于所述加热器的部分区域内，所述热辐射结构用于向所述加热器辐射热量。/n
【技术特征摘要】
1.一种薄膜制备装置，其特征在于，包括：
壳体，具有反应腔体；
支撑结构，位于所述反应腔体内；
加热器，位于所述反应腔体内的所述支撑结构上；
热辐射结构，位于所述反应腔体的底壁和所述加热器之间，所述热辐射结构在所述加热器上的投影位于所述加热器的部分区域内，所述热辐射结构用于向所述加热器辐射热量。
2.根据权利要求1所述的薄膜制备装置，其特征在于，所述热辐射结构与所述加热器中的至少一个可沿预定方向移动，所述预定方向为所述加热器的高度方向。
3.根据权利要求1所述的薄膜制备装置，其特征在于，所述薄膜制备装置还包括：
连接结构，一端与所述支撑结构连接，另一端与所述热辐射结构连接。
4.根据权利要求3所述的薄膜制备装置，其特征在于，所述热辐射结构有多个，所述连接结构有多个，且所述连接结构和所述热辐射结构一一对应连接。
5.根据权利要求1所述的薄膜制备装置，其特征在于，所述热辐射结构有多个，多个所述热辐射结构以所述支撑结构的轴线的中心为圆心依次周向排列，且所述加热器包括第一加热结构和第二加热结构，所述第二加热结构围设在所述第一加热结构外周且与所述第一加热结构连接，所述热辐射结构在所述加热器上的投影的至少部分位于所述第二加热结构内。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的薄膜制备装置，其特征在于，所述热辐射结构包括陶瓷板。
7.一种权利要求1至6中任一项的所述薄膜制备装置的控制方法，其特征在于，所述控制方法包括：
获取当前沉积的薄膜的多个检测点的相关参数，所述相关参数包括薄膜的厚度、消光系数以及反射系数中的至少一个；
在存在所述相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制热辐射结构与所述支撑结构的至少一个在预定方向移动至预定位置，以使得所述目标检测点的所述相关参数大于或者等于对应的所述参数阈值，所述目标检测点为多个所述检测点中的一个。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述热辐射结构有多个，所述连接结构有多个，且所述连接结构和所述热辐射结构一一对应连接，
在存在所述相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制热辐射结构与所述加热器中的至少一个在预定方向移动至预定位置，包括：
在存在所述相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制所述连接结构沿所述预定方向移动至所述预定位置。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述热辐射结构有多个，...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡淼龙，罗兴安，张高升，桂铭阳，蒋志超，张春雷，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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