【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其检测方法
本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及其检测方法。
技术介绍
3DNAND存储器是一种存储单元三维堆叠的闪存器件，相比平面型NAND存储器在单位面积上用于更高的存储密度，现有的3DNAND存储单元架构通常为垂直沟道、水平控制栅层设计，在单位面积的芯片上可以成倍地提高集成度，并且可以降低成本。在新型的3DNAND存储器中，先分别形成具有CMOS电路的CMOS晶圆和具有存储单元阵列的Array晶圆，然后采用键合工艺将CMOS晶圆和Array晶圆对应堆叠电连接，即X-tacking技术。随着半导体制造工艺的特征尺寸越来越小以及存储密度越来越高，CMOS晶圆和Array晶圆的键合精度和键合良率要求越来越高，为避免键合位置错位、剥离或裂纹导致半导体器件无法正常使用，需要对键合后的半导体器件进行检测，然而，目前的检测方法无法快速的定位键合失效位置，不利于提高检测效率且不利于及时做失效分析。
技术实现思路
本申请提供一种半导体器件及其检测方法，通过在半导体器件的第一半导体...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n第一半导体结构，具有第一键合面；/n第二半导体结构，具有第二键合面；其中，所述第二键合面与所述第一键合面键合连接；以及/n键合检测结构，包括段片式导电结构以及与所述段片式导电结构电连接的信息产生装置，所述段片式导电结构包括分布于所述第一半导体结构中的第一段片和分布于所述第二半导体结构中的第二段片，所述第一段片具有暴露于所述第一键合面上的第一导电触点，所述第二段片具有暴露于所述第二键合面上的第二导电触点，所述第一导电触点和所述第二导电触点键合，所述第一段片和所述第二段片通过所述第一导电触点和所述第二导电触点串联形成检测线，所述检测线的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
第一半导体结构，具有第一键合面；
第二半导体结构，具有第二键合面；其中，所述第二键合面与所述第一键合面键合连接；以及
键合检测结构，包括段片式导电结构以及与所述段片式导电结构电连接的信息产生装置，所述段片式导电结构包括分布于所述第一半导体结构中的第一段片和分布于所述第二半导体结构中的第二段片，所述第一段片具有暴露于所述第一键合面上的第一导电触点，所述第二段片具有暴露于所述第二键合面上的第二导电触点，所述第一导电触点和所述第二导电触点键合，所述第一段片和所述第二段片通过所述第一导电触点和所述第二导电触点串联形成检测线，所述检测线的两端用于接入预设检测电压，所述信息产生装置包括与不同位置的所述第一段片和/或所述第二段片对应连接的多个信息产生单元，各所述信息产生单元用以在接收到所述预设检测电压时发出受检测信息。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述段片式导电结构包括分布于所述第一半导体结构中不同位置的多个所述第一段片和分布于所述第二半导体结构中不同位置的的多个所述第二段片，各所述第一段片的两端分别具有所述第一导电触点，各所述第二段片的两端分别具有所述第二导电触点，各所述第一段片和各所述第二段片通过所述第一导电触点和所述第二导电触点依次交替串联形成所述检测线。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，各所述信息产生单元与所述第一段片对应连接。
4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述检测线的两端分别从位于所述检测线两端的所述第二段片引出，所述信息产生单元的数量和所述第一段片的数量相同。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述信息产生单元包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述段片式导电结构连接。
6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极用于接入第一预设电压，且所述薄膜晶体管的漏极用于接入第二预设电压，所述预设检测电压为使所述薄膜晶体管达到饱和状态的电压值。
7.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，任意一个所述第一段片与相邻设置的所述第二段片在垂直于所述第一键合面的方向交错设置，各所述第一段片和各所述第二段片通过所述第一导电触点和所述第二导电触点依次交替串联连接。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体结构包括第...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴继君，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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