确定晶圆加工参数的方法和晶圆的加工方法技术

本发明专利技术提供了确定晶圆加工参数的方法和晶圆的加工方法，确定晶圆加工参数的方法包括：获取晶圆加工工序中多个晶圆上的预定线条的平整度数据；根据所述预定线条的平整度数据，确定所述预定线条的径向数据；根据多个所述晶圆的预定线条的所述径向数据，确定硅晶圆加工参数。该方法，可以通过对前一批次硅棒硅棒的加工数据，来确定后一批次硅棒或者晶圆后道加工工序的参数，使得到的晶圆的平整度精度更高，加工良率更高，同时可以降低成本。

【技术实现步骤摘要】
确定晶圆加工参数的方法和晶圆的加工方法
本专利技术涉及半导体
，具体的，涉及确定晶圆加工参数的方法和晶圆的加工方法。
技术介绍
纳米形貌作为表征晶圆0.2～几十mm的凸凹成分的平整度参数，对后续芯片有着极其重要的影响。纳米形貌主要在硅晶圆的切片和减薄阶段产生，但由于纳米形貌所涉及的数值较小，在切割和减薄阶段，因为硅晶圆表面比较粗糙，一般采用电容式或双面激光测量方式，只测量数条直线扫描资料，且量测位置主要是槽口作为基准，如图2所示，图2中量测了以通过槽口点和圆心的槽口线，然后在依次旋转45度，量测其他3条线。由于粘棒中晶圆的位置随机，切口完成后，槽口线的位置完全不能表征切割的状况，无法得知晶圆工序的情况。此外，现有的量测仅将每条线的量测数据记录在后台数据库中，不做相应处理。此种测量方式可以侦测大面积的平整度变化，但对于局部纳米形貌的结果无法得知，且现有的量测方式和数据处理无法让工艺人员进行相应的追溯和管控，使得纳米形貌的精度较低。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种确定晶圆加工参数的方法，其特征在于，包括：/n获取晶圆加工工序中多个晶圆上的预定线条的平整度数据，所述平整度数据包括厚度数据和形状数据中的至少之一；/n根据所述预定线条的平整度数据，确定所述预定线条的径向数据；/n根据多个所述晶圆的预定线条的所述径向数据，确定硅晶圆加工参数。/n

【技术特征摘要】
1.一种确定晶圆加工参数的方法，其特征在于，包括：
获取晶圆加工工序中多个晶圆上的预定线条的平整度数据，所述平整度数据包括厚度数据和形状数据中的至少之一；
根据所述预定线条的平整度数据，确定所述预定线条的径向数据；
根据多个所述晶圆的预定线条的所述径向数据，确定硅晶圆加工参数。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加工工序中的多个所述晶圆源自同一硅棒。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定线条满足以下条件的至少之一：
所述预定线条包含通过进刀口与出刀口，并与所述切割方向平行的基准线；
所述预定线条为以晶圆的圆心为中点，将所述基准线按照顺时针或逆时针以一定角度旋转得到的直线；
所述预定线条的条数为至少1条；
任意相邻两条所述预定线条之间的夹角相等。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基准线是通过以下步骤得到：
定位得到所述晶圆的来源硅棒的粘接转角；所述粘接转角为切割前所述基准线与槽口线的夹角；所述槽口线为通过晶圆上的槽口点与圆心的直线；
量测所述晶圆的所述平整度数据时，先定位所述槽口线的位置，将所述粘接转角输入量测机台，所述量测机台使得所述晶圆按照所述粘接转角度数旋转，得到所述基准线。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据多个所述晶圆的预定线条的所述径向数据，确定晶圆加工参数包括：
将多个所述晶圆的预定线条的所述径向数据汇整于同一图面中，得到汇整图面；
根据所述汇整图面，确定硅加工工序的参数。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述汇整图面是通过以下步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡伟耀，卢健平，
申请(专利权)人：徐州鑫晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32