评估掩膜版缺陷对器件制造影响程度的方法技术

本申请公开了一种评估掩膜版缺陷对器件制造影响程度的方法，涉及半导体制造领域。该方法包括获取掩膜版上待评估缺陷以及十字标记的坐标；根据掩膜版上待评估缺陷的坐标和十字标记的坐标，计算待评估缺陷曝光至晶圆上的相对坐标；利用掩膜版和N个不同的曝光能量对同一块晶圆进行N次曝光；利用特征尺寸扫描电镜机台，根据待评估缺陷的相对坐标获取晶圆上的缺陷成像位置；检测缺陷成像位置是否形成缺陷图像；若检测到缺陷成像位置形成有缺陷图像，则获取缺陷图像的尺寸；根据缺陷图像的尺寸评估对器件制造的影响程度；解决了目前对掩膜版缺陷的评估需要增加生产成本，效率不高的问题；达到了节省生产成本，提高掩膜版缺陷的评估效率的效果。

【技术实现步骤摘要】
评估掩膜版缺陷对器件制造影响程度的方法
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种评估掩膜版缺陷对器件制造影响程度的方法。
技术介绍
半导体器件在制造过程中需要经过材料制备、制版、光刻、清洗、刻蚀、离子注入、机械化学抛光等多道工序，其中以光刻最为关键。在光刻工艺中，曝光光线透过掩膜版上承载的图形投射到晶圆表面涂布的光刻胶上，显影后掩膜版上的图形被转移到晶圆上。掩膜版的性能直接决定了光刻工艺的质量。在掩膜版的生产及使用过程中，都会不可避免的产生一些缺陷，大部分缺陷可以通过合适的清洗工艺去除。然而，若一发现掩膜版上的缺陷就立即送去清洗修复，不仅会影响生产线上的生成进度，还会减少掩膜版的使用寿命，通常会在发现掩膜版存在缺陷时，确认掩膜版缺陷是否能够在晶圆上有效地成像，然后再决定是否送修掩膜版。
技术实现思路
为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种评估掩膜版缺陷对器件制造影响程度的方法。该技术方案如下：一方面，本申请实施例提供了一种评估掩膜版缺陷对器件制造影响程度的方法，该方法包括：获取掩膜版上待评估缺陷以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种评估掩膜版缺陷对器件制造影响程度的方法，其特征在于，所述方法包括：/n获取掩膜版上待评估缺陷以及十字标记的坐标；/n根据掩膜版上待评估缺陷的坐标和十字标记的坐标，计算所述待评估缺陷曝光至晶圆上的相对坐标；/n利用所述掩膜版和N个不同的曝光能量对同一块晶圆进行N次曝光，N为整数；/n利用特征尺寸扫描电镜机台，根据所述待评估缺陷的相对坐标获取晶圆上的缺陷成像位置；/n检测所述缺陷成像位置是否形成缺陷图像；/n若检测到所述缺陷成像位置形成有缺陷图像，则利用所述特征尺寸扫描电镜机台获取所述缺陷图像的尺寸；/n根据所述缺陷图像的尺寸评估所述缺陷图像对应的缺陷对器件制造的影响程度。/n

【技术特征摘要】
1.一种评估掩膜版缺陷对器件制造影响程度的方法，其特征在于，所述方法包括：
获取掩膜版上待评估缺陷以及十字标记的坐标；
根据掩膜版上待评估缺陷的坐标和十字标记的坐标，计算所述待评估缺陷曝光至晶圆上的相对坐标；
利用所述掩膜版和N个不同的曝光能量对同一块晶圆进行N次曝光，N为整数；
利用特征尺寸扫描电镜机台，根据所述待评估缺陷的相对坐标获取晶圆上的缺陷成像位置；
检测所述缺陷成像位置是否形成缺陷图像；
若检测到所述缺陷成像位置形成有缺陷图像，则利用所述特征尺寸扫描电镜机台获取所述缺陷图像的尺寸；
根据所述缺陷图像的尺寸评估所述缺陷图像对应的缺陷对器件制造的影响程度。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据掩膜版上待评估缺陷的坐标和十字标记的坐标，计算所述待评估缺陷曝光至晶圆上的相对坐标，包括：
根据掩膜版上待评估缺陷的坐标和十字标记的坐标，按如下公式计算所述待评估缺陷曝光至晶圆上的相对坐标：
Xw＝(Xd-X十字)/k，Yw＝-(Yd-Y十字)/k；
其中，Xw表示待评估缺陷的相对十字标记的横坐标，Yw表示待评估缺陷的相对十字标记的纵坐标，Xd表示掩膜版上待评估缺陷的横坐标，Yd表示掩膜版上待评估缺陷的纵坐标，X十字表示掩膜版上十字标记的横坐标，Y十字表示掩膜版上十字标记的纵坐标，k为正整数。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述掩膜版和N个不同的曝光能量对同一块晶圆进行N次曝光，包括：
将所述晶圆划分为N个检测区域；
选取N个曝光能量；
对所述晶圆上的各个检测区域，利用所述掩膜版和一个曝光能量进行曝光，每个检测...

【专利技术属性】
技术研发人员：居碧玉，郭超，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32