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本申请公开了一种评估掩膜版缺陷对器件制造影响程度的方法，涉及半导体制造领域。该方法包括获取掩膜版上待评估缺陷以及十字标记的坐标；根据掩膜版上待评估缺陷的坐标和十字标记的坐标，计算待评估缺陷曝光至晶圆上的相对坐标；利用掩膜版和N个不同的曝光能...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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