【技术实现步骤摘要】
一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置
本专利技术属于半导体器件
，尤其涉及一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置。
技术介绍
硅基CMOS技术是目前高温集成电路设计的主流技术。但是随着阈值电压、沟道长度和栅氧化层厚度的减小，高泄漏电流正成为影响高温CMOS电路的主要因素，导致高温集成电路的静态功耗增加。MOS器件在高温条件下的主要特征是泄漏电流的升高和阈值电压的漂移。虽然目前通过减小器件内部PN结漏电以及改进器件间的隔离能够减少高温集成电路的静态功耗；但是随着工艺尺寸微缩至深亚微米甚至纳米尺度，低压MOS器件的亚阈值漏电会导致器件在极端高温环境中不可用。现有技术中常用的减少结漏电的方法是减少内部器件或器件间PN结的面积，但是这种方法需要对器件结构及工艺流程做出大幅变动，工艺流程复杂且成本昂贵。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本专利技术实施例提供了一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置，用于解决现有技术中在降低器件的高温关态漏电时，需要对器件结构及工艺流程...
【技术保护点】
1.一种降低半导体器件高温关态漏电的方法，其特征在于，所述方法包括：/n针对目标器件，获取所述目标器件在常温下的第一温度转移特性曲线以及所述目标器件在目标温度下的第二温度转移特性曲线；/n基于所述第一温度转移特性曲线获取所述目标器件的亚阈值泄漏截止电流对应的第一栅电压以及第一阈值电压；基于所述第二温度转移特性曲线获取所述目标器件的亚阈值泄漏截止电流对应的第二栅电压；/n根据所述第一栅电压、所述第一阈值电压及所述第二栅电压确定所述目标器件在所述目标温度下的目标阈值电压；/n基于所述目标阈值电压调整所述目标器件的阱离子注入浓度。/n
【技术特征摘要】
1.一种降低半导体器件高温关态漏电的方法，其特征在于，所述方法包括：
针对目标器件，获取所述目标器件在常温下的第一温度转移特性曲线以及所述目标器件在目标温度下的第二温度转移特性曲线；
基于所述第一温度转移特性曲线获取所述目标器件的亚阈值泄漏截止电流对应的第一栅电压以及第一阈值电压；基于所述第二温度转移特性曲线获取所述目标器件的亚阈值泄漏截止电流对应的第二栅电压；
根据所述第一栅电压、所述第一阈值电压及所述第二栅电压确定所述目标器件在所述目标温度下的目标阈值电压；
基于所述目标阈值电压调整所述目标器件的阱离子注入浓度。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一温度转移特性曲线获取所述目标器件的亚阈值泄漏截止电流对应的第一栅电压，包括：
确定所述第一温度转移特性曲线中结漏电区域与亚阈值漏电区域的第一交界点，所述第一交界点纵坐标对应所述亚阈值泄漏截止电流；
获取所述第一交界点横坐标对应的电压；所述第一交界点横坐标对应的电压为所述第一栅电压。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第二温度转移特性曲线获取所述目标器件的亚阈值泄漏截止电流对应的第二栅电压，包括：
确定所述第二温度转移特性曲线中结漏电区域与亚阈值漏电区域的第二交界点，所述第二交界点纵坐标对应所述亚阈值泄漏截止电流；
获取所述第二交界点横坐标对应的电压；所述第二交界点横坐标对应的电压为所述第二栅电压。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一栅电压、所述第一阈值电压及所述第二栅电压确定所述目标器件在所述目标温度下的目标阈值电压，包括：
获取所述第一栅电压及所述第二栅电压之间的差值电压；
确定所述差值电压与所述第一阈值电压之和，所述差值电压与所述第一阈值电压之和为所述目标阈值电压。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标阈值电压调整所述目标器件的阱离子注入浓度，包括：
获取阈值电压与阱离子注入浓度的对应关系表；
在所述对应关系表中查找所述目标阈值...
【专利技术属性】
技术研发人员：高林春，曾传滨，李晓静，闫薇薇，倪涛，李多力，卜建辉，张颢译，王可，刘海南，罗家俊，韩郑生，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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