一种外延片测试方法技术

本发明专利技术提出一种外延片测试方法。所述外延片测试方法为，形成贯通至N层的缺口，测试电信号连接于P层并通过所述缺口连接于N层形成测试回路。外延片测试选取的多个测试点，采用所述技术方案能够保证选取的测试点靠近相应的缺口和P层电接触点，从而增加对测试点测试的准确度。

【技术实现步骤摘要】
一种外延片测试方法
本专利技术涉及一种外延片测试方法。
技术介绍
外延片为具有不同功能的多层依次堆叠形成，常规的方案有基底、N层、发光层、P层依次堆叠。对于外延片的测试，测试难点在于如何电连接于N层。已有的测试方案有，采用环状电极从侧面电连接于N层；然而，此种方式由于电连接N层到选取的测试点路径不一致而造成选取的不同位置的测试点在受N层的电性影响不同，从而选取的多个测试点对比的结果并不准确。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提出一种外延片测试方法本专利技术的技术方案为：一种外延片测试方法，形成贯通至N层的缺口，测试电信号连接于P层并通过所述缺口连接于N层形成测试回路。进一步的，所述缺口贯穿N层的深度为N层总厚度的一半。进一步的，所述缺口和测试电信号连接于P层的位置属于同一个芯粒区域。进一步的，取外延片几何中心为第一测试点，及围绕该几何中心的圆形排布的多个第二测试点；对所述第一测试点和第二测试点进行测试。进一步的，所述外延片的P层涂覆有保护层，所述击穿电信号用探针刺穿所述保护本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种外延片测试方法，其特征在于：形成贯通至N层的缺口，测试电信号连接于P层并通过所述缺口连接于N层形成测试回路。/n

【技术特征摘要】
1.一种外延片测试方法，其特征在于：形成贯通至N层的缺口，测试电信号连接于P层并通过所述缺口连接于N层形成测试回路。


2.根据权利要求1所述的外延片测试方法，其特征在于：所述缺口贯穿N层的深度为N层总厚度的一半。


3.根据权利要求1所述的外延片测试方法，其特征在于：所述缺口和测试电信号连接于P层的位置属于同一个芯粒区域。


4.根据权利要求1所述的外延片测试方法，其特征在于：取外延片几何中心为第一测试点，及围绕该几何中心的圆形排布的多个第二测试点；对所述第一测试点和第二测试点进行测试。


5.根据权利要求1所述的外延片测试方法，其特征在于：所述外延片的P层涂覆有保护层，所述击穿电信号用探针刺穿所述保护层。


6.根据权利要求5所述的外延片测试方法，其特征在于：所述保护层包括绝缘层。
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【专利技术属性】
技术研发人员：王业文，刘振辉，徐仲亮，
申请(专利权)人：矽电半导体设备深圳股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44