温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出一种外延片测试方法。所述外延片测试方法为，形成贯通至N层的缺口，测试电信号连接于P层并通过所述缺口连接于N层形成测试回路。外延片测试选取的多个测试点，采用所述技术方案能够保证选取的测试点靠近相应的缺口和P层电接触点，从而增加对测试...
该专利属于矽电半导体设备(深圳)股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过矽电半导体设备(深圳)股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。