半导体芯片、半导体器件及其制造方法技术

本公开提供了半导体芯片、半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括基底基板和在基底基板上的半导体芯片，半导体芯片包括第一层结构和与第一层结构相反的第二层结构以及在第一层结构与第二层结构之间的接合结构，第一层结构和第二层结构的至少一个包括半导体器件部分，接合结构包括银‑锡(Ag‑Sn)化合物和镍‑锡(Ni‑Sn)化合物。

【技术实现步骤摘要】
半导体芯片、半导体器件及其制造方法本申请文件是2015年4月7日提交的专利技术名称为“半导体芯片、半导体器件及其制造方法”的第201510161903.2号专利技术专利申请的分案申请。
示例实施方式涉及半导体芯片、半导体器件和半导体器件的制造方法。
技术介绍
在用于制造半导体器件的接合技术中，利用焊料材料的接合技术(例如，晶片接合)可以在小于450℃的相对低的温度执行并可以提供改善的接合强度。与软焊料相比，金-锡(Au-Sn)焊料具有满意的粘结强度和耐腐蚀性，而且具有相对高的导电性和改善的导热性。此外，Au-Sn焊料抗热疲劳，不包含受环境法规约束的铅(Pb)，并可以被熔化而不用助焊剂。然而，在Au-Sn焊料的情况下，价格会由于包含Au而增加，控制Au和Sn之间的组分比会是困难的，并且接合温度相对高。
技术实现思路
示例实施方式提供包括具有改善的接合强度和接合可靠性的接合结构的半导体器件以及半导体器件的制造方法。示例实施方式还提供包括用于防止或阻止例如空隙的缺陷和由易碎性导致的机械强度下降的接合结构的半导体器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n基底基板；和/n在所述基底基板上的半导体芯片，所述半导体芯片是单个半导体芯片，所述半导体芯片包括：/n第一层结构和与所述第一层结构相反的第二层结构，所述第二层结构是半导体器件部分，和/n在所述第一层结构和第二层结构之间的接合结构，所述接合结构包括银-锡化合物部分和在所述银-锡化合物部分上方和下方的镍-锡化合物部分，所述银-锡化合物部分和所述镍-锡化合物部分具有在水平方向上的相同宽度使得所述银-锡化合物部分的边缘部分被暴露并且所述镍-锡化合物部分的边缘部分被暴露，以及/n芯片粘合层，在所述基底基板与所述半导体芯片之间，/n其中所述接合结构与所述芯片粘合层间隔开并且所...

【技术特征摘要】
20140813 KR 10-2014-01054301.一种半导体器件，包括：
基底基板；和
在所述基底基板上的半导体芯片，所述半导体芯片是单个半导体芯片，所述半导体芯片包括：
第一层结构和与所述第一层结构相反的第二层结构，所述第二层结构是半导体器件部分，和
在所述第一层结构和第二层结构之间的接合结构，所述接合结构包括银-锡化合物部分和在所述银-锡化合物部分上方和下方的镍-锡化合物部分，所述银-锡化合物部分和所述镍-锡化合物部分具有在水平方向上的相同宽度使得所述银-锡化合物部分的边缘部分被暴露并且所述镍-锡化合物部分的边缘部分被暴露，以及
芯片粘合层，在所述基底基板与所述半导体芯片之间，
其中所述接合结构与所述芯片粘合层间隔开并且所述接合结构没有接触所述芯片粘合层的部分，
其中所述第一层结构是包括半导体基板的芯片基板，
其中包括所述半导体基板的所述芯片基板位于所述芯片粘合层与所述半导体器件部分之间，并且
其中所述单个半导体芯片包括所述芯片基板、所述半导体器件部分以及在所述芯片基板和所述半导体器件部分之间的所述接合结构，
其中所述接合结构在晶片级工艺中形成，
其中包括所述半导体基板的所述芯片基板在所述基底基板与所述半导体器件部分之间。


2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述接合结构还包括纯Ni。


3.如权利要求1所述的半导体器件，其中
所述银-锡化合物部分包括Ag3Sn，

【专利技术属性】
技术研发人员：周建模，文彰烈，李成熙，黄俊式，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR