一种真空回流共晶焊接的工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种真空回流共晶焊接的工艺方法，包括步骤：S1.取出真空回流炉内的加热基板并进行等离子清洗；S2.烘干所述加热基板并固定至传送装置；S3.放置固晶后的样品，调整石英风管的位置；S4.设置共晶焊接参数；S5.焊接质检；其中，采用改进的真空回流炉进行共晶焊接，所述真空回流炉采用第一热源及第二热源提供样品焊接需要的热量，所述第一热源提供热风加热，所述第二热源提供辐射热量。本发明专利技术采用热风加热与辐射加热的方式同时提供共晶焊接需要的热量，能够达到快速升温的效果，提升样品的焊接质量、降低焊接空洞率；本发明专利技术的工艺方法操作简单、安全性高、具有通用性，并且适合小批量、多品种产品生产。

【技术实现步骤摘要】
一种真空回流共晶焊接的工艺方法
本专利技术涉及半导体芯片共晶焊接方法，具体地，涉及一种真空回流共晶焊接的工艺方法。
技术介绍
随着通信行业的快速发展，多芯片组件凭借其高密度、高性能、高可靠性、重量轻、体积小等特点被广泛地应用于航空航天、军用通信等领域。共晶是微电子组装技术中一种重要的焊接工艺，在电子汽车、IGBT以及LED中应用越来越广泛，尤其是大功率器件中。目前共晶焊接一般为手动共晶方式、共晶炉烧结方式、自动共晶贴片机方式，其中共晶炉烧结方式、自动共晶贴片机方式因为设备购置成本高、适合大批量等特点，并不适合小批量、多品种模块的生产。因此，急需要提供一种操作简单、安全性高、具有通用性，并且适合小批量、多品种产品生产的真空回流共晶焊接的工艺方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种真空回流共晶焊接的工艺方法，该设备共晶焊接的工艺方法操作简单、安全性高、具有通用性，并且适合小批量、多品种产品生产。由于现有技术的焊接设备存在温度分布不均匀以及升温速度慢的问题，本专利技术综合热风加热以及辐射加热的加热方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空回流共晶焊接的工艺方法，其特征在于，包括步骤：/nS1.取出真空回流炉内的加热基板并进行等离子清洗；/nS2.烘干所述加热基板并固定至传送装置；/nS3.放置固晶后的样品，调整石英风管的位置；/nS4.设置共晶焊接参数；/nS5.对焊接后端样品进行焊接质检；/n其中，采用真空回流炉进行共晶焊接，所述真空回流炉采用第一热源及第二热源提供样品焊接需要的热量，所述第一热源提供热风加热，所述第二热源提供辐射热量。/n

【技术特征摘要】
1.一种真空回流共晶焊接的工艺方法，其特征在于，包括步骤：
S1.取出真空回流炉内的加热基板并进行等离子清洗；
S2.烘干所述加热基板并固定至传送装置；
S3.放置固晶后的样品，调整石英风管的位置；
S4.设置共晶焊接参数；
S5.对焊接后端样品进行焊接质检；
其中，采用真空回流炉进行共晶焊接，所述真空回流炉采用第一热源及第二热源提供样品焊接需要的热量，所述第一热源提供热风加热，所述第二热源提供辐射热量。


2.根据权利要求1所述的真空回流共晶焊接的工艺方法，其特征在于，步骤S4进一步包括：设置所述第一热源与所述第二热源输出的热量比为60％～75％：25％～40％。


3.根据权利要求2所述的真空回流共晶焊接的工艺方法，其特征在于，所述第一热源与所述第二热源输出的热量比为70％：30％。


4.根据权利要求2或3所述的真空回流共晶焊接的工艺方法，其特征在于，设置所述真空回流炉内的加热温度为160-340℃。


5.根据权利要求1所述的真空回流共晶焊接的工艺方法，其特征在于，所述真...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，邹军，石明明，
申请(专利权)人：上海应用技术大学，
类型：发明
国别省市：上海;31