半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包括半导体元件和第一连接构件。半导体元件具有基板和电极焊盘。基板包含形成有晶体管的除四边形以外的形状的晶体管形成区域。上述电极焊盘位于上述晶体管形成区域上。第一连接构件在1个部位与电极焊盘连接。电极焊盘设置为在其平面观察时覆盖晶体管形成区域的重心。在平面观察时，第一连接构件与电极焊盘连接的连接区域包含晶体管形成区域的重心位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
作为半导体装置的一例，已知在安装于引线框一侧的面上形成有漏极电极、在与形成有漏极电极的面相反侧的面上形成有源极电极焊盘和栅极电极焊盘的纵型MOSFET(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-23211号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，半导体装置有时要与感性负载连接，要求具有在关闭时吸收从感性负载释放的能量的功能。如果从感性负载对半导体装置释放的能量超过特定值，半导体装置就有因温度上升而导致故障的危险。能够吸收多少感性负载中蓄积的能量的指标由有源钳位耐量来表示。有源钳位耐量的值越大，则能够更多地吸收在感性负载中蓄积的能量。因此，优选有源钳位耐量的值更大。本专利技术的目的在于提供能够提高有源钳位耐量的半导体装置。解决课题的方法用于解决上述课题的半导体装置包括半导体元件和第一连接构件，该半导体元件具有具备形成有晶体管的除四边形以外的形状的晶体管形成区域的基板和在上述晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具有半导体元件和第一连接构件，/n所述半导体元件具有包含形成有晶体管的除四边形以外的形状的晶体管形成区域的基板和在所述晶体管形成区域上的电极焊盘，/n所述第一连接构件在1个部位与所述电极焊盘连接；/n所述电极焊盘设置为在其平面观察时覆盖所述晶体管形成区域的重心，/n在所述平面观察时，所述第一连接构件与所述电极焊盘连接的连接区域包含所述晶体管形成区域的重心位置。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180411 JP 2018-0761131.一种半导体装置，具有半导体元件和第一连接构件，
所述半导体元件具有包含形成有晶体管的除四边形以外的形状的晶体管形成区域的基板和在所述晶体管形成区域上的电极焊盘，
所述第一连接构件在1个部位与所述电极焊盘连接；
所述电极焊盘设置为在其平面观察时覆盖所述晶体管形成区域的重心，
在所述平面观察时，所述第一连接构件与所述电极焊盘连接的连接区域包含所述晶体管形成区域的重心位置。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述连接区域的中心位置与所述晶体管形成区域的重心位置一致。


3.一种半导体装置，具有半导体元件和第一连接构件，
所述半导体元件具有包含形成有晶体管的除四边形以外的形状的晶体管形成区域的基板和在所述晶体管形成区域上的电极焊盘，
所述第一连接构件在多个部位与所述电极焊盘连接；
所述晶体管形成区域被分割为与所述第一连接构件的连接部位的数量相对应的相互面积相等的多个分割区域，
所述电极焊盘设置为在其平面观察时覆盖所述多个分割区域各自的重心，
在所述平面观察时，所述第一连接构件与所述电极焊盘连接的连接区域包含所述多个分割区域各自的重心位置。


4.一种半导体装置，具有半导体元件和多个第一连接构件，
所述半导体元件具有包含形成有晶体管的除四边形以外的形状的晶体管形成区域的基板和在所述晶体管形成区域上的电极焊盘，
所述多个第一连接构件与所述电极焊盘连接，
所述晶体管形成区域被分割为与所述第一连接构件的数量相对应的相互面积相等的多个分割区域，
所述电极焊盘设置为在其平面观察时覆盖所述多个分割区域各自的重心，
在所述平面观察时，所述多个第一连接构件与所述电极焊盘分别连接的连接区域包含所述多个分割区域各自的重心位置。


5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其中，
所述多个分割区域以接近正方形的方式被均等分割。


6.根据权利要求3～5中任一项所述的半导体装置，其中，
所述连接区域的中心位置与所述分割区域各自的重心位置一致。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，
所述半导体元件具有电力用晶体管、与所述电力用晶体管的控制端子连接的控制电极焊盘，
并且，所述半导体装置具有：
安装有所述半导体元件的第一引线框，
与一端连接于所述控制电极焊盘的第二连接构件的另一端连接的第二引线框，和
与一端连接于所述半导体元件的所述第一连接构件的另一端连接的第三引线框。


8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，
所述第一引线框和所述第三引线框构成为含有铜，
所述第一连接构件构成为含有铝，
所述第一引线框和所述第三引线框的至少一方的表面具有镀覆层。


9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
所述第一引线框具有安装有所述半导体元件的第一岛部，
在所述第一岛部中的安装有所述半导体元件的表面具有镀覆层。


10.根据权利要求8或9所述的半导体装置，其中，
所述第三引线框具有与所述第一连接构件连接的第三岛部，
在所述第三岛部中的与所述第一连接构件连接的表面具有镀覆层。


11.根据权利要求7～10中任一项所述的半导体装置，其中，
构成为含有铜的所述第二引线框具有与所述第二连接构件连接的第二岛部，
所述第二连接构件构成为含有铝，
在所述第二岛部中的与所述第二连接构件连接的表面具有镀覆层。


12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
所述第一连接构件通过楔焊与所述电极焊盘连接，并具有与所述电极焊盘连接的连接部分，
在平面观察时，所述连接部分从所述半导体元件向着所述第三岛部延伸。


13.根据权利要求1～12中任一项所述的半导体装置，其中，
具有在所述基板中设置于所述电极焊盘的外部的温度传感器，
所述温度传感器配置于在所述半导体装置进行驱动时所述电极焊盘的外部的区域中热最集中的部位。


14.根据权利要求1～13中任一项所述的半导体装置，其中，
在所述基板中形成有多个沟槽、和分别沿着所述多个沟槽排列且包含作为电流路径的沟道形成区域的多个功能元件形成区域，
所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥山一树，高桥俊太郎，芳我基治，吉田真悟，熊谷和寿，奥田肇，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP