【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】场效应型晶体管
本申请涉及场效应型晶体管。特别涉及使用氮化物半导体制作出的高电子迁移率晶体管。
技术介绍
近年来，使用了以AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(简称为HEMT：HighElectronMobilityTransistor。下面称为HEMT)所代表的GaN类HEMT为中心的氮化物半导体的场效应型晶体管的产品实用化正在发展，其代表性的是向面向手机基站的放大器的应用，今后还期待向高频通信设备相关的市场领域的普及扩大。关于上述GaN类HEMT，难以实现栅极泄漏电流的控制，为此产生泄漏电流变大而无法维持品质的情况，谋求更稳定的具有小的栅极泄漏电流的GaN类HEMT。作为其理由，在GaN类HEMT中，由于已经多次报告了受到晶片工艺工序中的湿式处理、或干式处理的影响而栅极泄漏电流大幅变动的事例、或受到保护半导体外延层表面的绝缘膜的影响而栅极泄漏电流大幅变动的事例，因此想到半导体外延层表面敏感是重大原因。以往，通过在电子供给层之上形成的硅氧化物所具有的压缩应力，从而得到栅极泄漏电流小的氮化物半导体场效...
【技术保护点】
1.一种场效应型晶体管，其具有在电子供给层的表面之上形成的栅极电极、源极电极、漏极电极，/n该场效应型晶体管的特征在于，具有：/n绝缘膜，其包覆所述电子供给层；以及/n所述绝缘膜的开口部，其形成于该绝缘膜中的形成所述栅极电极的区域，具有通过一个面而与所述电子供给层接触的梯形四棱柱状轮廓面，/n所述栅极电极在通过所述开口部将所述电子供给层露出的区域与该电子供给层进行肖特基接合，/n并且，所述开口部的梯形四棱柱状轮廓面的剖面形状相对于所述电子供给层的表面的倾斜角度设定在25度至75度的范围。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种场效应型晶体管，其具有在电子供给层的表面之上形成的栅极电极、源极电极、漏极电极，
该场效应型晶体管的特征在于，具有：
绝缘膜，其包覆所述电子供给层；以及
所述绝缘膜的开口部，其形成于该绝缘膜中的形成所述栅极电极的区域，具有通过一个面而与所述电子供给层接触的梯形四棱柱状轮廓面，
所述栅极电极在通过所述开口部将所述电子供给层露出的区域与该电子供给层进行肖特基接合，
并且，所述开口部的梯形四棱柱状轮廓面的剖面形状相对于所述电子供给层的表面的倾斜角度设定在25度至75度的范围。
2.根据权利要求1所述的场效应型晶体管，其特征在于，
所述绝缘膜具有压缩应力，并且通过所述开口部的梯形四棱柱状轮廓面及与接触于所述电子供给层的面相反的表面而与所述栅极电极接触。
3.根据权利要求1所述的场效应型晶体管，其特征在于，
所述绝缘膜具有第1绝缘膜和第2绝缘膜，并且通过所述开口部的梯形四棱柱状轮廓面及与接触于所述电子供给层的面相反的表面而与所述栅极电极接触，该第1绝缘膜具有压缩应力、形成于所述电子供给层的表面，该第2绝缘膜具有拉伸应力或具有比所述第1绝缘膜小的压缩应力、形成于该第1绝缘膜的表面。
4.根据权利要求1所述的场效应型晶体管，其特征在于，
所述绝缘膜具有第1绝缘膜和第2绝缘膜，并且通过所述开口部的梯形四棱柱状轮廓面及与接触于所述电子供给层的面相反的表面而与所述栅极电极接触，该第1绝缘膜具有拉伸应力、形成于半导体表面层的表面，该第2绝缘膜具有压缩应力或具有比第1绝缘膜小的拉伸应力、形成于第1绝缘膜的之上。
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