【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置，例如，涉及由III族氮化物半导体(以下有时简称为“氮化物半导体”)形成的氮化物半导体装置。
技术介绍
III族氮化物半导体是指III-V族半导体中使用氮作为V族元素的半导体。以氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)为代表例。一般可以表示为AlxInyGa1-x-yN(0≦x≦1，0≦y≦1，0≦x+y≦1)。提案有使用这样的氮化物半导体的HEMT(HighElectronMobilityTransistor；高电子迁移率晶体管)。这样的HEMT，例如，包括由GaN形成的电子传输层和在该电子传输层上由外延生长的AlGaN形成的电子供给层。以与电子供给层相接的方式形成一对源电极和漏电极，在它们之间配置栅电极。栅电极配置为与电子供给层相对而夹着绝缘膜。由于GaN和AlGaN之间的晶格不匹配而引起极化，因而在电子传输层内中从电子传输层与电子供给层的界面开始仅数的内侧位置会形成二维电子气。以该二维电子气为通道将源极和漏极之间连接起来。通过对栅电极施加控制电压，如果阻断二维电子...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其是包括基板、在所述基板上配置的电子传输层和在所述电子传输层上配置的电子供给层的半导体装置，/n所述电子传输层包括与所述电子供给层相接的传导通路形成层、含有导电受主型杂质的第一半导体区域、以及在相对于所述传导通路形成层比所述第一半导体区域更近的位置配置的含有受主型杂质的第二半导体区域，/n所述第一半导体区域的受主密度比所述第二半导体区域的受主密度大。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171120 JP 2017-2227811.一种半导体装置，其是包括基板、在所述基板上配置的电子传输层和在所述电子传输层上配置的电子供给层的半导体装置，
所述电子传输层包括与所述电子供给层相接的传导通路形成层、含有导电受主型杂质的第一半导体区域、以及在相对于所述传导通路形成层比所述第一半导体区域更近的位置配置的含有受主型杂质的第二半导体区域，
所述第一半导体区域的受主密度比所述第二半导体区域的受主密度大。
2.一种半导体装置，其是包括基板、在所述基板上配置的电子传输层和在所述电子传输层上配置的电子供给层的半导体装置，
所述电子传输层包括与所述电子供给层相接的传导通路形成层、含有受主型杂质的第一半导体区域、以及在相对于所述传导通路形成层比所述第一半导体区域更近的位置配置的含有受主型杂质的第二半导体区域，
所述第一半导体区域的受主能级与价带顶端的能量差比所述第二半导体区域的受主能级与价带顶端之间的能量差小。
3.一种半导体装置，其是包括基板、在所述基板上配置的电子传输层和在所述电子传输层上配置的电子供给层的半导体装置，
所述电子传输层包括与所述电子供给层相接的传导通路形成层、含有受主型杂质的第一半导体区域、以及在相对于所述传导通路形成层比所述第一半导体区域更近的位置配置的含有...
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