半导体整流器制造技术

通过本发明专利技术的一方案提供的半导体整流器具备晶体管以及二极管。上述晶体管具有源电极、漏电极以及门电极。上述二极管具有阳电极以及阴电极。上述阳电极与上述门电极导通，上述阴电极与上述源电极导通。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体整流器
本专利技术涉及半导体整流器。
技术介绍
作为半导体整流器的一方式的肖特基势垒二极管具有Si半导体层、肖特基电极以及欧姆电极。
技术实现思路
通过本专利技术的一方案提供的半导体整流器具备晶体管以及二极管。上述晶体管具有源电极、漏电极以及门电极。上述二极管具有阳电极以及阴电极。上述阳电极与上述门电极导通，上述阴电极与上述源电极导通。附图说明图1是表示本专利技术的第一实施方式的半导体整流器的俯视图。图2是沿图1的II-II线的剖视图。图3是沿图1的III-III线的剖视图。图4是表示本专利技术的第一实施方式的半导体整流器的电路图。图5是表示本专利技术的第一实施方式的半导体整流器的电压电流特性的图表。图6是表示本专利技术的第一实施方式的半导体整流器的逆回复特性的图表。图7是表示本专利技术的第一实施方式的半导体整流器的第一变形例的俯视图。图8是表示本专利技术的第一实施方式的半导体整流器的第二变形例的俯视图。图9是沿图8的IX-IX线的剖视图。图10是表示本专利技术的第一实施方式的半导体整流器的第三变形例的俯视图。图11是表示本专利技术的第二实施方式的半导体整流器的俯视图。图12是表示本专利技术的第二实施方式的半导体整流器的电路图。图13是表示本专利技术的第三实施方式的半导体整流器的俯视图。图14是表示本专利技术的第三实施方式的半导体整流器的电路图。图15是表示本专利技术的第三实施方式的半导体整流器的第一变形例的俯视图。图16是表示本专利技术的第三实施方式的半导体整流器的第一变形例的电路图。图17是表示本专利技术的第一实施方式的半导体整流器的逆回复特性的图表。图18是表示本专利技术的第一实施方式的半导体整流器的二极管电压的图表。图19是表示本专利技术的第三实施方式的半导体整流器的逆回复特性的图表。图20是表示本专利技术的第三实施方式的半导体整流器的二极管电压的图表。图21是表示本专利技术的第四实施方式的半导体整流器的俯视图。图22是沿图21的XXII-XXII线的剖视图。图23是表示本专利技术的第四实施方式的半导体整流器的第一变形例的俯视图。图24是表示本专利技术的第四实施方式的半导体整流器的第二变形例的俯视图。图25是沿图24的XXV-XXV线的剖视图。图26是表示本专利技术的第五实施方式的半导体整流器的俯视图。图27是表示本专利技术的第五实施方式的半导体整流器的电路图。图28是表示本专利技术的第六实施方式的半导体整流器的俯视图。图29是沿图28的XXIX-XXIX线的剖视图。图30是表示本专利技术的第七实施方式的半导体整流器的俯视图。图31是沿图30的XXXI-XXXI线的剖视图。具体实施方式以下，参照附图，具体地说明本专利技术的优选实施方式。＜第一实施方式＞图1～图4表示本专利技术的第一实施方式的半导体整流器。本实施方式的半导体整流器A1具备晶体管1、二极管2、引线框3以及密封树脂6。图1是表示半导体整流器A1的俯视图。图2是沿图1的II-II线的剖视图。图3是沿图1的III-III线的剖视图。图4是表示半导体整流器A1的电路图。晶体管1例如是正常接通型(偏转型)晶体管，具有元件主体10、源电极11S、漏电极11D以及门电极11G。元件主体10是包含半导体层的元件，在本实施方式中，包含GaN半导体层。在该情况下，晶体管1例如是GaN-MOSFET、GaN-HEMT等。源电极11S、漏电极11D以及门电极11G设置于元件主体10的上面，全部位于元件主体10的相同侧。源电极11S、漏电极11D以及门电极11G由金属形成，例如通过电镀形成。从适当地进行金属丝的连接、焊接接合的观点出发，源电极11S、漏电极11D以及门电极11G的表层优选由Au构成。另外，源电极11S、漏电极11D以及门电极11G中被表层覆盖的部分例如由Cu、Ni等金属形成。二极管2具有元件主体20、阳电极21A以及阴电极21C。二极管2例如是元件主体20含有Si半导体层的Si肖特基势垒二极管。二极管2的阈值电压优选为0.8V以下。引线框3支撑晶体管1以及二极管2，构成向晶体管1以及二极管2的导通路径。在本实施方式中，引线框3具有岛部30、阳极端子31A以及阴极端子31C。另外，在引线框3上设置有金属层32以及绝缘层33。引线框3的材质并未特别限定，例如使用由Cu、Ni等的金属形成的金属板材料通过进行冲压加工与折弯加工等而形成。岛部30是支撑晶体管1以及二极管2的部分。在图示的示例中，岛部30是具有沿x方向以及y方向的四边的俯视矩形形状，但岛部30的形状并未特别限定。另外，在本实施方式中，在岛部30上设置金属层32。金属层32是由例如从Al、Cu、Ni等中适当地选择的金属或合金形成的层。在图示的示例中，金属层32通过绝缘层33被固定于岛部30。绝缘层33由绝缘材料形成，例如能适当地采用树脂、陶瓷。另外，金属层32的z方向视角尺寸比岛部30的z方向视角尺寸小。金属层32的形成方法并未特别限定，既可以通过利用电镀等的方法形成在绝缘层33上，也可以通过绝缘层33将预先形成的金属层32接合在岛部30上。在图示的示例中，晶体管1通过接合层19被接合在金属层32上。另外，二极管2的阴电极21C通过接合层29接合于金属层32。本示例的情况下，接合层19既可以具有绝缘性，也可以具有导电性。接合层29由导电性材料形成，例如是焊锡。由此，二极管2的阴电极21C与金属层32导通。阳极端子31A是成为半导体整流器A1的端子且被阳极连接的端子。阳极端子31A从岛部30离开。阴极端子31C是成为半导体整流器A1的端子且被阴极连接的端子。在本例中，阴极端子31C连接于岛部30。在图示的示例中，半导体整流器A1具有多个阳极金属丝4A、门极金属丝4G、多个源极金属丝4S以及多个漏极金属丝4D。多个阳极金属丝4A连接于阳极端子31A和二极管2的阳电极21A。门极金属丝4G连接于二极管2的阳电极21A与晶体管1的门电极11G。多个源极金属丝4S连接于金属层32与晶体管1的源电极11S。多个漏极金属丝4D连接于晶体管1的漏电极11D与岛部30。多个阳极金属丝4A、门极金属丝4G、多个源极金属丝4S以及多个漏极金属丝4D例如由Au、铝、Cu等金属构成。在以下，举例说明多个阳极金属丝4A、门极金属丝4G、多个源极金属丝4S以及多个漏极金属丝4D由Au形成的情况，各自的根数根据各自的材质而增减。根据以上所述的结构，半导体整流器A1构成图4所示的电路。二极管2的阳电极21A通过门极金属丝4G与门电极11G导通。二极管2的阴极电机21C通过金属层32以及多个源极金属丝4S与源电极11S导通。密封树脂6是用于保护晶体管1、二极管2、引线框3的一部分、多个阳极金属丝4A、门极金属丝4G、多个源极金属丝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体整流器，其特征在于，/n具备：/n具有源电极、漏电极以及门电极的晶体管；以及/n二极管，其具有阳电极以及阴电极，上述阳电极与上述门电极导通，上述阴电极与上述源电极导通。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171211 JP 2017-2367081.一种半导体整流器，其特征在于，
具备：
具有源电极、漏电极以及门电极的晶体管；以及
二极管，其具有阳电极以及阴电极，上述阳电极与上述门电极导通，上述阴电极与上述源电极导通。


2.根据权利要求1所述的半导体整流器，其特征在于，
上述晶体管是正常导通型。


3.根据权利要求1或2所述的半导体整流器，其特征在于，
具备介于上述阳电极与上述门电极的导通路径中的第一电阻器。


4.根据权利要求3所述的半导体整流器，其特征在于，
上述第一电阻器与上述晶体管以及上述二极管的至少任一个一体地形成。


5.根据权利要求1至4任一项所述的半导体整流器，其特征在于，
具备相对于上述二极管并联地连接的电容器。


6.根据权利要求5所述的半导体整流器，其特征在于，
具备相对于上述电容器串联地连接的第二电阻器。


7.根据权利要求6所述的半导体整流器，其特征在于，
上述第二电阻器与上述晶体管以及上述二极管的至少任一个一体地形成。


8.根据权利要求1至7任一项所述的半导体整流器，其特征在于，
上述晶体管具有GaN半导体层或SiC半导体层。


9.根据权利要求1至8任一项所述的半导体整流器，其特征在于，
上述二极管是Si肖特基势垒二极管。


10.根据权利要求1至9任一项所述的半导体整流器，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口敦司，柏木淳一，森山洋平，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP