树脂膜、包含该树脂膜的显示器及它们的制造方法技术

本发明专利技术的一个方案的树脂膜是作为薄膜晶体管的支承基板使用的树脂膜，其包含耐热性树脂。该树脂膜的规定的树脂膜面的薄层电阻大于1×10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】树脂膜、包含该树脂膜的显示器及它们的制造方法
本专利技术涉及树脂膜、包含该树脂膜的显示器及它们的制造方法。
技术介绍
聚酰亚胺、聚苯并噁唑、聚苯并噻唑、聚苯并咪唑等耐热性树脂被用作各种电子器件的材料。近来，通过在有机EL显示器、电子纸、滤色器等显示器的基板中使用树脂膜，从而能够制造耐冲击的柔性显示器。尤其是显示器用的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor：TFT)在制造工序中需要高温处理，因此正在推进开发将耐热性树脂的树脂膜用于其支承基板。TFT支承基板用的树脂膜使用除具有高耐热性外还具有高绝缘性的树脂膜。例如在专利文献1中报告了通过使用具有1×1017[Ω·cm]以上的体积电阻率的树脂基板作为TFT基板来制造可靠性优异的TFT的例子。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-212360号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，专利文献1中记载的树脂膜存在异物容易附着于膜上这样的课题。尤其是在TFT的制造工艺中，TFT的支承基板中所使用的树脂膜会通过高温工艺，因此TFT元件有可能被由附着于该树脂膜上的少量异物产生的气体破坏而成为像素缺陷。因此，存在TFT制造的成品率恶化这样的课题。本专利技术是鉴于上述课题而完成的专利技术，其目的在于提供异物难以附着、能够提高TFT制造的成品率且适合于TFT支承基板的树脂膜、包含该树脂膜的显示器以及它们的制造方法。用于解决课题的手段为了解决上述的课题并且达成目的，本专利技术涉及的树脂膜，其特征在于，其被用作薄膜晶体管的支承基板，所述树脂膜包含耐热性树脂，并且规定的树脂膜面的薄层电阻大于1×1012Ω且小于1×1016Ω。另外，本专利技术涉及的树脂膜，其特征在于，在上述的专利技术中，还包含导电性粒子。另外，本专利技术涉及的树脂膜，其特征在于，在上述的专利技术中，前述导电性粒子为碳粒子。另外，本专利技术涉及的树脂膜，其特征在于，在上述的专利技术中，前述导电性粒子的含量相对于前述耐热性树脂的100质量份而言为0.01质量份以上且3质量份以下。另外，本专利技术涉及的树脂膜，其特征在于，在上述的专利技术中，膜厚为4μm以上且40μm以下。另外，本专利技术涉及的树脂膜，其特征在于，在上述的专利技术中，前述规定的树脂膜面的算术平均粗糙度为10nm以下。另外，本专利技术涉及的显示器，其特征在于，其具备上述的专利技术中任一项所述的树脂膜。另外，本专利技术涉及的树脂膜的制造方法，其特征在于，其制造上述的专利技术中任一项所述的树脂膜，所述制造方法包括：涂布工序，将包含耐热性树脂或前述耐热性树脂的前体、和溶剂的树脂组合物涂布于支承体；以及加热工序，对利用前述涂布工序得到的涂膜进行加热而得到树脂膜。另外，本专利技术涉及的树脂膜的制造方法，其特征在于，在上述的专利技术中，包括对加热后的前述树脂膜进行研磨的研磨工序。另外，本专利技术涉及的树脂膜的制造方法，其特征在于，在上述的专利技术中，包括对加热后的前述树脂膜照射激光的照射工序。另外，本专利技术涉及的树脂膜的制造方法，其特征在于，在上述的专利技术中，包括：抗蚀剂涂布工序，在加热后的前述树脂膜上涂布抗蚀剂而形成前述支承体上的前述树脂膜与覆盖前述树脂膜的前述抗蚀剂的层叠体；以及蚀刻工序，对所得的前述层叠体从涂布有前述抗蚀剂的一侧进行干蚀刻而使前述树脂膜露出。另外，本专利技术涉及的显示器的制造方法，其特征在于，其包括：膜制造工序，利用上述的专利技术中任一项所述的树脂膜的制造方法在支承体上制造树脂膜；元件形成工序，在前述树脂膜上形成薄膜晶体管元件；以及剥离工序，从前述支承体剥离形成有前述薄膜晶体管元件的前述树脂膜。专利技术效果根据本专利技术，可提供异物难以附着且适合于TFT支承基板的树脂膜。另外，在TFT制造时的高温工艺中，能够抑制因异物的产生气体引起的TFT元件的破损，因此，能够提高TFT制造的成品率。具体实施方式以下，对本专利技术的具体实施方式进行详细地说明。但是，本专利技术并不限定为以下的实施方式，可以根据目的、用途进行各种变更而实施。＜树脂膜＞本专利技术的实施方式涉及的树脂膜是作为薄膜晶体管(TFT)的支承基板使用的树脂膜，其包含耐热性树脂。另外，该树脂膜的规定的树脂膜面的薄层电阻大于1×1012Ω且小于1×1016Ω。例如上述规定的树脂膜面是该树脂膜的膜厚方向两侧(表面和背面两侧)中的一方的面。在该树脂膜中，优选在膜厚方向两侧的树脂膜面中薄层电阻为上述范围的一侧的面上形成TFT。以下，所谓“树脂膜”，只要没有特别说明，则是指本专利技术的实施方式涉及的树脂膜。另外，将树脂膜的膜厚方向的两侧的树脂膜面中形成TFT的一侧的树脂膜面称作“TFT形成面”。例如，当在形成TFT之前将树脂膜成膜于支承体上的情况下，该树脂膜中同与支承体接触的面相反的一侧的面是TFT形成面。如果树脂膜的规定的树脂膜面的薄层电阻小于1×1016Ω，则可以降低异物对树脂膜的附着。另外，在TFT制造时的高温工艺中，能够抑制因异物的产生气体引起的TFT元件的破损，因此，能够提高TFT制造的成品率。若树脂膜的薄层电阻过(例如为1×1016Ω以上)大，则树脂膜变得容易带电，其结果在树脂膜与异物之间库伦力发挥作用。因此，异物变得容易附着于树脂膜面。若上述薄层电阻小于1×1016Ω，则因电荷的扩散、再结合而使树脂膜面的电荷密度变小，其结果使树脂膜与异物的库伦力变小，因此推定能够降低异物对树脂膜的附着。尤其从降低异物对树脂膜的附着这样的观点考虑，上述薄层电阻优选小于1×1015Ω。另外，在树脂膜中，如果上述薄层电阻大于1×1012Ω，则能够防止由TFT布线间的泄露所导致的TFT的工作不良。尤其对于上述薄层电阻而言，从防止TFT的工作不良的观点考虑，优选大于1×1013Ω，更优选大于1×1014Ω。在本专利技术中，将上述的树脂膜的薄层电阻的上限值及下限值分别任意组合而成的范围也是优选的例子。因此，作为上述薄层电阻的范围，例如大于1×1013Ω且小于1×1016Ω等也是优选的范围。作为使树脂膜的薄层电阻为上述范围的方法，可列举例如向包含耐热性树脂的树脂膜中添加添加物的方法。作为添加物，可列举例如离子性化合物、导电性粒子等。其中，本专利技术的实施方式涉及的树脂膜优选除包含耐热性树脂外作为添加剂还包含导电性粒子。如果添加剂为导电性粒子，则能够在不降低树脂膜的耐热性的前提下将该树脂膜的薄层电阻控制为所期望的值。需要说明的是，本专利技术中的薄层电阻是依据日本工业标准(JISK6271：2015)而利用双环电极法测定得到的值。对于在测定时使用的电极而言，将主电极直径设为37mm，将环电极宽度设为5.5mm，将主电极与环电极之间的距离设为1mm，将对向电极直径设为55mm，并利用银浆来制作。测定时的施加电压设为500V。(导电性粒子)本专利技术中的导电性粒子只要是具有导电性的粒子，就没有特别地限制。作为导电性粒子，可列举例如碳粒子、金属粒子、金属氧化物粒子等。作为碳粒子，可列举炭黑、碳纳米管、碳纤维、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.树脂膜，其特征在于，其被用作薄膜晶体管的支承基板，/n所述树脂膜包含耐热性树脂，/n规定的树脂膜面的薄层电阻大于1×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180329 JP 2018-0640301.树脂膜，其特征在于，其被用作薄膜晶体管的支承基板，
所述树脂膜包含耐热性树脂，
规定的树脂膜面的薄层电阻大于1×1012Ω且小于1×1016Ω。


2.根据权利要求1所述的树脂膜，其特征在于，其还包含导电性粒子。


3.根据权利要求2所述的树脂膜，其特征在于，所述导电性粒子为碳粒子。


4.根据权利要求2或3所述的树脂膜，其特征在于，所述导电性粒子的含量相对于100质量份所述耐热性树脂而言为0.01质量份以上且3质量份以下。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的树脂膜，其特征在于，膜厚为4μm以上且40μm以下。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的树脂膜，其特征在于，所述规定的树脂膜面的算术平均粗糙度为10nm以下。


7.显示器，其特征在于，其具备权利要求1～6中任一项所述的树脂膜。


8.树脂膜的制造方法，其特征在于，其是制造权利要求1～6中任一项所述的树脂膜的树脂膜的制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：芦部友树，宫崎大地，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP