半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术一种半导体器件及其形成方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有若干分隔排列的鳍部；在所述衬底上形成横跨所述鳍部的伪栅结构；在所述衬底上形成、所述伪栅结构的侧壁上形成第一层间介电层，且所述第一层间介电层的顶部低于所述伪栅结构的顶部；定义切断开口图形；沿所述切断开口图形，刻蚀所述伪栅结构，直至暴露出所述衬底，形成切断开口；在所述第一层间介电层上形成第二层间介电层，且所述第二层间介电层填充满所述切断开口，所述第二层间介电层顶部与所述伪栅结构顶部齐平；本发明专利技术使得所形成的半导体器件性能稳定。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展。器件作为最基本的半导体器件，目前正被广泛应用，传统的平面器件对沟道电流的控制能力变弱，产生短沟道效应而导致漏电流，最终影响半导体器件的电学性能。为了克服器件的短沟道效应，抑制漏电流，现有技术提出了鳍式场效应晶体管(FinFET)，鳍式场效应晶体管是一种常见的多栅器件，鳍式场效应晶体管的结构包括：位于半导体衬底表面的鳍部和隔离结构，所述隔离结构覆盖部分所述鳍部的侧壁，且隔离结构表面低于鳍部顶部；位于隔离结构表面，以及鳍部的顶部和侧壁表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区。然而，随着半导体器件的尺寸缩小，器件密度的提高，形成鳍式场效应晶体管的工艺难度增大，且所形成的鳍式场效应晶体管的性能也不稳定。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体器件及其形成方法，使得所形成的半导体器件性能稳定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底上形成有若干分隔排列的鳍部；/n在所述衬底上形成横跨所述鳍部的伪栅结构；/n在所述衬底上以及所述伪栅结构的侧壁上形成第一层间介电层，且所述第一层间介电层的顶部低于所述伪栅结构的顶部；/n定义切断开口图形；/n沿所述切断开口图形，刻蚀所述伪栅结构，直至暴露出所述衬底，形成切断开口；/n在所述第一层间介电层上形成第二层间介电层，且所述第二层间介电层填充满所述切断开口，所述第二层间介电层的顶部与所述伪栅结构的顶部齐平。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有若干分隔排列的鳍部；
在所述衬底上形成横跨所述鳍部的伪栅结构；
在所述衬底上以及所述伪栅结构的侧壁上形成第一层间介电层，且所述第一层间介电层的顶部低于所述伪栅结构的顶部；
定义切断开口图形；
沿所述切断开口图形，刻蚀所述伪栅结构，直至暴露出所述衬底，形成切断开口；
在所述第一层间介电层上形成第二层间介电层，且所述第二层间介电层填充满所述切断开口，所述第二层间介电层的顶部与所述伪栅结构的顶部齐平。


2.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述切断开口的方法为干法刻蚀法。


3.如权利要求2所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀法采用四氟化碳、六氟化硫外加氮气和氧气作为刻蚀气氛，其中所述四氟化碳的气体流量范围是50～2005sccm，所述六氟化硫的气体流量为5～500sccm，所述氮气的气体流量为6～300sccm，所述氧气的气体流量为1～250sccm，刻蚀压强为1～150毫托，刻蚀处理时间为10～2000s，电压为50～300V，功率为200～500W。


4.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成第二层间介电层之前，还包括：
在所述伪栅结构的侧壁及所述切断开口的侧壁形成绝缘层。


5.如权利要求4所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述绝缘层采用单层或者叠层。
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【专利技术属性】
技术研发人员：周飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31