IGBT器件的制造方法技术

本申请公开了一种IGBT器件的制造方法，涉及半导体制造领域。该IGBT器件的制造方法包括在衬底上形成IGBT器件的源区，衬底为MCZ衬底；对衬底进行退火处理，在退火过程中源区表面形成一层氧化物；在衬底上形成层间介质层，层间介质层由氮化硅层、第一类氧化物层、第二类氧化层组成，用于形成第一类氧化物层的材料与用于形成第二类氧化物层的材料不同；使用氮气对衬底进行退火处理：解决了12＂产线上IGBT器件的击穿电压蠕变严重的问题；达到了改善IGBT器件的性能，优化利用MCZ衬底制造IGBT器件的生产工艺的效果。

【技术实现步骤摘要】
IGBT器件的制造方法
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种IGBT器件的制造方法。
技术介绍
随着技术的发展，IGBT(InsulaterGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)已成为电力电子领域应用广泛的功率器件。IGBT器件具有PT(punchthrough，穿通)型、NPT(non-punchthrough，非穿通型)、FS(fieldstop，场阻止型)等。FS型IGBT器件中的FS层主要用于阻止电场，使N型漂移区的电场呈梯形分布，以减小N型漂移区的厚度和掺杂浓度，降低导通压降。目前，8英寸衬底制造的FS型IGBT器件使用FZ(Floatingzonemethod，悬浮区熔法)衬底，而12寸衬底由于衬底制造技术的限制，只能使用MCZ(magneticfieldappliedCzochralskimethod，磁场直拉法)衬底。在晶圆加工厂，功率器件与IC产品一般共用产线，12英寸晶圆制造的FS型IGBT器件无法使用PSG(磷硅玻璃)或BPSG(硼磷硅玻璃)。在上述两种因素的影响下，采用12英寸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：/n在衬底上形成IGBT器件的源区，所述衬底为MCZ衬底；/n对所述衬底进行退火处理，在所述退火过程中所述源区表面形成一层氧化物；/n在衬底上形成层间介质层，所述层间介质层由氮化硅层、第一类氧化物层、第二类氧化层组成，用于形成所述第一类氧化物层的材料与用于形成所述第二类氧化物层的材料不同；/n使用氮气对所述衬底进行退火处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底上形成IGBT器件的源区，所述衬底为MCZ衬底；
对所述衬底进行退火处理，在所述退火过程中所述源区表面形成一层氧化物；
在衬底上形成层间介质层，所述层间介质层由氮化硅层、第一类氧化物层、第二类氧化层组成，用于形成所述第一类氧化物层的材料与用于形成所述第二类氧化物层的材料不同；
使用氮气对所述衬底进行退火处理。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底上形成层间介质层，包括：
通过LPCVD工艺在所述衬底上形成所述氮化硅层；
通过PECVD工艺在所述氮化硅层上方依次形成所述第一类氧化物层、所述第二类氧化物层。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一类氧化物层的材料为富硅氧化物，所述第二类氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯超，陈正嵘，潘嘉，姚廷辉，靳宇，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32