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本申请公开了一种IGBT器件的制造方法，涉及半导体制造领域。该IGBT器件的制造方法包括在衬底上形成IGBT器件的源区，衬底为MCZ衬底；对衬底进行退火处理，在退火过程中源区表面形成一层氧化物；在衬底上形成层间介质层，层间介质层由氮化硅层、...该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。