半导体装置及制造方法制造方法及图纸

提供一种半导体装置，在深度方向上，氢浓度分布具有第一氢浓度峰和第二氢浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，第一氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，第二氢浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，该第二深度以下表面为基准时比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用第二氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用第一氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及制造方法
本专利技术涉及半导体装置及制造方法。
技术介绍
以往，已知通过向半导体基板注入氢并使其扩散，从而使存在于扩散区的结晶缺陷与氢结合而进行施主化(例如，参照专利文献1)。专利文献1：日本特表2016-204227号公报
技术实现思路
技术问题优选能够高精度地控制通过使结晶缺陷与氢结合而产生的施主区的范围和施主浓度。技术方案为了解决上述课题，在本专利技术的一个方式中，提供半导体装置，其具备半导体基板，该半导体基板具有上表面和下表面。在半导体基板的连结上表面和下表面的深度方向上，氢浓度分布可以具有第一氢浓度峰和第二氢浓度峰。在深度方向上，施主浓度分布可以具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰。第一氢浓度峰和第一施主浓度峰可以配置在第一深度。第二氢浓度峰和第二施主浓度峰可以配置在第二深度，所述第二深度以下表面为基准时比第一深度深。各浓度峰可以具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡。用第二氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值可以小于用第一氢浓度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面，/n在所述半导体基板的连结所述上表面和所述下表面的深度方向上，氢浓度分布具有第一氢浓度峰和第二氢浓度峰，且施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，/n所述第一氢浓度峰和所述第一施主浓度峰配置在第一深度，所述第二氢浓度峰和所述第二施主浓度峰配置在第二深度，所述第二深度以所述下表面为基准时比所述第一深度深，/n各浓度峰具有浓度值随着从所述下表面朝向所述上表面而增大的上行斜坡，/n用所述第二氢浓度峰的所述上行斜坡的斜率将所述第二施主浓度峰的所述上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用所述第一氢浓度峰的所述上行斜坡的斜...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181018 JP 2018-196766;20181228 JP 2018-248523;201.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面，
在所述半导体基板的连结所述上表面和所述下表面的深度方向上，氢浓度分布具有第一氢浓度峰和第二氢浓度峰，且施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，
所述第一氢浓度峰和所述第一施主浓度峰配置在第一深度，所述第二氢浓度峰和所述第二施主浓度峰配置在第二深度，所述第二深度以所述下表面为基准时比所述第一深度深，
各浓度峰具有浓度值随着从所述下表面朝向所述上表面而增大的上行斜坡，
用所述第二氢浓度峰的所述上行斜坡的斜率将所述第二施主浓度峰的所述上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用所述第一氢浓度峰的所述上行斜坡的斜率将所述第一施主浓度峰的所述上行斜坡的斜率归一化而得的值。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，各浓度峰具有浓度值随着从所述下表面朝向所述上表面而减小的下行斜坡，
所述第二氢浓度峰的所述上行斜坡的斜率比所述下行斜坡的斜率小。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，各浓度峰具有浓度值随着从所述下表面朝向所述上表面而减小的下行斜坡，
所述第二施主浓度峰的所述上行斜坡的斜率比所述下行斜坡的斜率小。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一深度与所述第二深度之间的所述施主浓度分布具有施主浓度基本恒定的平坦区，
所述平坦区在所述深度方向上的长度为所述半导体基板在所述深度方向上的厚度的10％以上。


5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一深度与所述第二深度之间的所述施主浓度分布具有施主浓度基本恒定的平坦区，
所述平坦区在所述深度方向上的长度为10μm以上。


6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，所述平坦区的施主浓度的最小值比所述半导体基板的施主浓度高。


7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第一深度与所述第二深度之间的施主浓度的最小值比所述半导体基板的施主浓度高。


8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第二氢浓度峰的浓度值比所述第一氢浓度峰的浓度值小。


9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备：
N型的漂移区，其设置于所述半导体基板；
发射区，其在所述半导体基板中以与所述上表面接触的方式设置，且施主浓度比所述漂移区的施主浓度高；
P型的基区，其设置于所述发射区与所述漂移区之间；
P型的集电区，其在所述半导体基板中以与所述下表面接触的方式设置；
N型的缓冲区，其设置于所述集电区与所述漂移区之间，且具有1个以上的施主浓度比所述漂移区的施主浓度高的施主浓度峰，
所述第一施主浓度峰为所述缓冲区的所述施主浓度峰。


10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备蓄积区，所述蓄积区设置于所述基区与所述漂移区之间，且具有1个以上的施主浓度比所述漂移区的施主浓度高的施主浓度峰，
所述第二施主浓度峰为所述蓄积区的所述施主浓度峰。


11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述蓄积区除所述第二施主浓度峰以外还具有由氢以外的施主形成的所述施主浓度峰。


12.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备蓄积区，所述蓄积区设置于所述基区与所述漂移区之间，且具有1个以上的施主浓度比所述漂移区的施主浓度高的施主浓度峰，
所述第二施主浓度峰配置于所述缓冲区与所述蓄积区之间。


13.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备栅极沟槽部，所述栅极沟槽部...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿形泰典，吉村尚，泷下博，目黑美佐稀，儿玉奈绪子，伊仓巧裕，野口晴司，原田祐一，樱井洋辅，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP