一种自对准四重图形的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种自对准四重图形的制作方法，在第二芯轴掩膜层和掩膜介质层上同时沉积第二侧墙层，在同一个电感耦合等离子体反应腔体内刻蚀去除水平方向的第二侧墙层、第二芯轴掩膜层和掩膜介质层，将掩膜介质层的去除和第二芯轴掩膜层的去除合并在一起处理，避免了现有技术中采用SOC反填的方式去除第一侧墙层和掩膜介质层的工艺，减少了工艺步骤，节省了工艺成本。

【技术实现步骤摘要】
一种自对准四重图形的制作方法
本专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种自对准四重图形的制作方法。
技术介绍
随着芯片尺寸的持续微缩，在进入FinFET(FinField-EffectTransistor，鳍式场效应晶体管)技术时代后，特别是从7nm节点开始，由于图形周期(如7nm节点的鳍(Fin)对应的节距(pitch)为30nm)已经超过193nm浸没式光刻机的曝光极限，故引进了自对准四重成像技术(Self-AlignedQuadruplePatterning,SAQP)来定义图形；例如鳍的图形或后段金属层的图形。传统的SAQP技术在形成第一侧墙层后，从第一侧墙层向第二芯轴层进行图形传递时，会碰到第一侧墙层的去除问题，即第二芯轴层顶部的第一侧墙层和掩膜介质层必须去除掉，避免对后续第二芯轴层的去除形成阻挡。一般去除第一侧墙层和掩膜介质层通常采用的方法是碳涂层(SpinOnCarbon，SOC)反填，再进行碳涂层背刻(etchback)，使SOC填充在第一芯轴层间隙，作为底部掩膜介质层的保护层，再利用湿法刻蚀的方法，把顶部第一侧墙层和掩本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自对准四重图形的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS01：在衬底上依次沉积第二芯轴层、掩膜介质层、第一芯轴层和光刻层；并对光刻层进行图形化，且图形化之后的光刻层具有第一节距；/nS02：以图形化的光刻层为掩膜，对第一芯轴层进行刻蚀，并曝露出掩膜介质层，形成位于掩膜介质层上的第一芯轴掩膜层；/nS03：进行第一侧墙层沉积，形成位于掩膜介质层上表面、第一芯轴掩膜层侧壁和上表面的第一侧墙层；/nS04：去除掩膜介质层上表面和第一芯轴掩膜层上表面的第一侧墙层，保留位于第一芯轴掩膜层侧壁的第一侧墙层，并去除第一芯轴掩膜层；/nS05：以剩余的第一侧墙层为掩膜，依次刻蚀掩膜介质层和第二芯轴层...

【技术特征摘要】
1.一种自对准四重图形的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
S01：在衬底上依次沉积第二芯轴层、掩膜介质层、第一芯轴层和光刻层；并对光刻层进行图形化，且图形化之后的光刻层具有第一节距；
S02：以图形化的光刻层为掩膜，对第一芯轴层进行刻蚀，并曝露出掩膜介质层，形成位于掩膜介质层上的第一芯轴掩膜层；
S03：进行第一侧墙层沉积，形成位于掩膜介质层上表面、第一芯轴掩膜层侧壁和上表面的第一侧墙层；
S04：去除掩膜介质层上表面和第一芯轴掩膜层上表面的第一侧墙层，保留位于第一芯轴掩膜层侧壁的第一侧墙层，并去除第一芯轴掩膜层；
S05：以剩余的第一侧墙层为掩膜，依次刻蚀掩膜介质层和第二芯轴层，形成位于衬底上的第二芯轴掩膜层和掩膜介质层；
S06：进行第二侧墙层沉积，形成位于衬底上表面、掩膜介质层上表面、第二芯轴掩膜层和掩膜介质层侧壁的第二侧墙层；
S07：依次去除衬底和掩膜介质层上表面的第二侧墙层，以及掩膜介质层和第二芯轴掩膜层，得到具有第二节距的图形。


2.根据权利要求1所述的一种自对准四重图形的制作方法，其特征在于，所述步骤S07具体包括：
S071：去除掩膜介质层上表面的第二侧墙层；
S072：去除掩膜介质层，所述掩膜介质层的刻蚀速率与所述第二侧墙层的刻蚀速率比值大于50；
S073：去除第二芯轴掩膜层，所述第二芯轴掩膜层的刻蚀速率与第二侧墙层刻蚀速率比值大于100，所述第二芯轴掩膜层的刻蚀速率与衬底的刻蚀速率比值大于100。


3.根据权利要求2所述的一种自对准四重图形的制作方法，其特征在于，所述第二芯轴层和第一芯轴层为不定形硅层。


4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨渝书，王伯文，伍强，李艳丽，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31