集成电路器件及其制造方法技术

本公开涉及集成电路器件及其制造方法。一种方法，包括：形成栅极电介质，该栅极电介质包括在第一半导体区域上延伸的第一部分；形成阻挡层，该阻挡层包括在栅极电介质的第一部分上方延伸的第一部分；形成第一功函数调整层，该第一功函数调整层包括位于阻挡层的第一部分上方的第一部分；将掺杂元素掺杂到第一功函数调整层中；移除第一功函数调整层的第一部分；使阻挡层的第一部分变薄；以及在阻挡层的第一部分上方形成功函数层。

【技术实现步骤摘要】
集成电路器件及其制造方法
本公开涉及集成电路器件及其制造方法。
技术介绍
金属氧化物半导体(MOS)器件通常包括金属栅极，其被形成以解决传统多晶硅栅极中的多晶耗尽效应(poly-depletioneffect)。在施加的电场从靠近栅极电介质的栅极区域扫除载流子从而形成耗尽层时，发生多晶耗尽效应。在n掺杂多晶硅层中，耗尽层包括电离的非移动供体位点(ionizednon-mobiledonorsite)，其中，在p掺杂多晶硅层中，耗尽层包括电离的非移动受体位点(ionizednon-mobileacceptorsite)。耗尽效应产生有效栅极电介质厚度的增加，使得更难以在半导体表面处产生反型层(inversionlayer)。金属栅极可以包括多个层以满足NMOS器件和PMOS器件的要求。金属栅极的形成通常包括：沉积多个金属层，用钨形成填充金属区域，并且然后执行化学机械抛光(CMP)工艺以移除金属层的多余部分。金属层的剩余部分形成金属栅极。
技术实现思路
根据本公开的一个实施例，提供了一种制造集成电路器件的方法，包括：形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造集成电路器件的方法，包括：/n形成栅极电介质，所述栅极电介质包括在第一半导体区域上延伸的第一部分；/n形成阻挡层，所述阻挡层包括在所述栅极电介质的所述第一部分上方延伸的第一部分；/n形成第一功函数调整层，所述第一功函数调整层包括位于所述阻挡层的所述第一部分上方的第一部分；/n将掺杂元素掺杂到所述第一功函数调整层中；/n移除所述第一功函数调整层的所述第一部分；/n使所述阻挡层的所述第一部分变薄；以及/n在所述阻挡层的所述第一部分上方形成功函数层。/n

【技术特征摘要】
20190430 US 16/398,9221.一种制造集成电路器件的方法，包括：
形成栅极电介质，所述栅极电介质包括在第一半导体区域上延伸的第一部分；
形成阻挡层，所述阻挡层包括在所述栅极电介质的所述第一部分上方延伸的第一部分；
形成第一功函数调整层，所述第一功函数调整层包括位于所述阻挡层的所述第一部分上方的第一部分；
将掺杂元素掺杂到所述第一功函数调整层中；
移除所述第一功函数调整层的所述第一部分；
使所述阻挡层的所述第一部分变薄；以及
在所述阻挡层的所述第一部分上方形成功函数层。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一功函数调整层包括氮化钛，并且所述掺杂元素包括铝。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，掺杂所述掺杂元素包括：在沉积所述第一功函数调整层时，原位掺杂铝。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，掺杂所述掺杂元素是在沉积所述第一功函数调整层之后执行的。


5.根据权利要求4所述的方法，其中，掺杂所述掺杂元素包括：将所述第一功函数调整层热浸泡在含铝气体中。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极电介质还包括在第二半导体区域上延伸的第二部分，所述阻挡层还包括在所述栅极电介质的所述第二部分上方延伸的第二部分，并且所述第一功函数调整层还包括在所述阻挡层的所述第二部分上方延伸的第二部分，并且其中，在所述第一功函数调整层的所述第一部分被移除时，通过蚀刻掩模保护所述第一功函数调整层的所述第二部分不被移除。


7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述阻挡层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李欣怡，李雅惠，李达元，苏庆煌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71