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本公开涉及集成电路器件及其制造方法。一种方法，包括：形成栅极电介质，该栅极电介质包括在第一半导体区域上延伸的第一部分；形成阻挡层，该阻挡层包括在栅极电介质的第一部分上方延伸的第一部分；形成第一功函数调整层，该第一功函数调整层包括位于阻挡层的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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