半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及其形成方法，包括步骤：提供衬底，在所述衬底上依次交替形成至少一层牺牲层和至少一层衬层；刻蚀所述衬层和所述牺牲层，直至暴露出所述衬底，在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部；刻蚀部分厚度的所述衬底，所述牺牲层底部的所述衬底的宽度小于所述鳍部上的所述衬层的宽度；本发明专利技术在后续形成包围所述鳍部的全包围栅极结构时，全包围栅极结构底部的所述衬底的宽度较小，在全包围栅极结构底部产生的寄生帽(parasitic cap)、寄生电容减小，出现漏电的可能性降低，这样使得形成的半导体器件的使用性能增强，提高半导体器件性能的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展。器件作为最基本的半导体器件，目前正被广泛应用，传统的平面器件对沟道电流的控制能力变弱，产生短沟道效应而导致漏电流，最终影响半导体器件的电学性能。为了克服器件的短沟道效应，抑制漏电流，现有技术提出了鳍式场效应晶体管(FinFET)，鳍式场效应晶体管是一种常见的多栅器件，鳍式场效应晶体管的结构包括：位于半导体衬底表面的鳍部和隔离结构，所述隔离结构覆盖部分所述鳍部的侧壁，位于衬底上且横跨的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区。随着对器件性能不断提出的更高要求，催生了四面控制的全包围栅结构(Gate-all-around)。具有全包围栅极(Gate-all-around)结构的半导体器件拥有有效地限制短沟道效应(Shortchanneleffect)的特殊性能，正是业界在遵循摩尔定律不断缩小器件尺寸的革新中所极其渴望的。全包围栅极结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，在所述衬底上依次交替形成至少一层牺牲层和至少一层衬层；/n刻蚀所述衬层和所述牺牲层，直至暴露出所述衬底，在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部；/n刻蚀部分厚度的所述衬底，所述牺牲层底部的所述衬底的宽度小于所述鳍部上的所述衬层的宽度。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上依次交替形成至少一层牺牲层和至少一层衬层；
刻蚀所述衬层和所述牺牲层，直至暴露出所述衬底，在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部；
刻蚀部分厚度的所述衬底，所述牺牲层底部的所述衬底的宽度小于所述鳍部上的所述衬层的宽度。


2.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括，刻蚀所述鳍部上的所述衬层的两侧，刻蚀后的所述衬层的宽度自所述衬底向上呈逐层递增的方式排布。


3.如权利要求2所述半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部之前，还包括，采用离子掺杂法使所述衬层的刻蚀速率小于所述衬底的刻蚀速率。


4.如权利要求3所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述衬层的材料包括硅或锗或硅锗或砷化镓中的一种或者多种。


5.如权利要求3所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述离子掺杂法采用的离子包括硼离子、磷离子或砷离子。

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【专利技术属性】
技术研发人员：王楠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31