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本发明提供一种半导体器件及其形成方法，包括步骤：提供衬底，在所述衬底上依次交替形成至少一层牺牲层和至少一层衬层；刻蚀所述衬层和所述牺牲层，直至暴露出所述衬底，在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部；刻蚀部分厚度的所述衬底，所述牺牲层底部的所述衬...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。