温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种自对准四重图形的制作方法，在第二芯轴掩膜层和掩膜介质层上同时沉积第二侧墙层，在同一个电感耦合等离子体反应腔体内刻蚀去除水平方向的第二侧墙层、第二芯轴掩膜层和掩膜介质层，将掩膜介质层的去除和第二芯轴掩膜层的去除合并在一起处理，...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。