显示装置以及显示装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的显示装置具备：基板、设置在基板上的第一晶体管、以不与第一晶体管重叠的方式设置在基板上的第二晶体管。第一晶体管具备：设置在基板上的多晶硅层、设置在多晶硅层上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第一栅电极、设置在第一栅电极上的第二绝缘膜。第二晶体管具备：设置在第一绝缘膜上的氧化物半导体层、设置在氧化物半导体层上的第三绝缘膜、设置在第三绝缘膜上的第二栅电极。第一以及第三绝缘膜是SiOx膜。第二绝缘膜是含氢的SiNx膜，并且以与多晶硅层重叠的方式设置，并且以不与氧化物半导体层重叠的方式设置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置以及显示装置的制造方法
本专利技术涉及显示装置以及显示装置的制造方法。
技术介绍
显示装置具有以矩阵状配置的多个像素，且在每个像素中具有控制像素的像素电路。另外，公知有具备多个薄膜晶体管的像素电路(例如参照专利文献1)。显示装置的像素电路通常使用非晶硅-薄膜晶体管(a-SiTFT)、低温多晶硅-薄膜晶体管(LTPSTFT)以及氧化物半导体-薄膜晶体管(氧化物半导体TFT)中的任一种。上述的薄膜晶体管分别具有不同的特性。LTPSTFT具有具备比a-SiTFT以及氧化物半导体TFT大的电子迁移率这样的特性。另外，氧化物半导体TFT具有漏电电流比a-SiTFT以及LTPSTFT少这样的特性。在像素电路具备多个薄膜晶体管的情况下，多个薄膜晶体管使用同种的薄膜晶体管。由此，能够通过相同的工序生成多个薄膜晶体管，从而能够减少制造成本。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-213454号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题像素电路中所含的驱动晶体管、选本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，其特征在于，具备：/n基板、设置在所述基板上的第一晶体管、以不与所述第一晶体管重叠的方式设置在所述基板上的第二晶体管，/n所述第一晶体管具备：设置在所述基板上的多晶硅层、设置在所述多晶硅层上的第一绝缘膜、设置在所述第一绝缘膜上的第一栅电极、设置在所述第一栅电极上的第二绝缘膜，/n所述第二晶体管具备：设置在所述第一绝缘膜上的氧化物半导体层、设置在所述氧化物半导体层上的第三绝缘膜、设置在所述第三绝缘膜上的第二栅电极，/n所述第一绝缘膜以及所述第三绝缘膜是SiOx膜，/n所述第二绝缘膜是含氢的SiNx膜，并且以与所述多晶硅层重叠的方式设置，并且以不与所述氧化物半导体层重叠的方式设置...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，其特征在于，具备：
基板、设置在所述基板上的第一晶体管、以不与所述第一晶体管重叠的方式设置在所述基板上的第二晶体管，
所述第一晶体管具备：设置在所述基板上的多晶硅层、设置在所述多晶硅层上的第一绝缘膜、设置在所述第一绝缘膜上的第一栅电极、设置在所述第一栅电极上的第二绝缘膜，
所述第二晶体管具备：设置在所述第一绝缘膜上的氧化物半导体层、设置在所述氧化物半导体层上的第三绝缘膜、设置在所述第三绝缘膜上的第二栅电极，
所述第一绝缘膜以及所述第三绝缘膜是SiOx膜，
所述第二绝缘膜是含氢的SiNx膜，并且以与所述多晶硅层重叠的方式设置，并且以不与所述氧化物半导体层重叠的方式设置。


2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
还具备设置在所述第二绝缘膜上以及所述第二栅电极上的第四绝缘膜，
所述第一晶体管具备：与所述多晶硅层连接的第一源电极和与所述多晶硅层连接的第一漏电极，
所述第一源电极设置于贯通所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜以及所述第四绝缘膜的第一接触孔，
所述第一漏电极设置于贯通所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜以及所述第四绝缘膜的第二接触孔。


3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
还具备设置在所述第四绝缘膜上的保护膜，
所述第一晶体管具备与所述第一源电极连接的第二源电极和与所述第一漏电极连接的第二漏电极，
所述第二源电极设置于贯通所述保护膜的第三接触孔，
所述第二漏电极设置于贯通所述保护膜的第四接触孔。


4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述第二晶体管具备：与所述氧化物半导体层连接的第三源电极和与所述氧化物半导体层连接的第三漏电极，
所述第三源电极设置于贯通所述第四绝缘膜以及所述保护膜的第五接触孔，
所述第三漏电极设置于贯通所述第四绝缘膜以及所述保护膜的第六接触孔。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的显示装置，其特征在于，
还具备设置在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：本城正智，松木园广志，松尾拓哉，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP