一种电阻器件结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种电阻器件结构，包括：衬底，衬底包括浅沟槽隔离区，浅沟槽隔离区上方的多晶硅层，以及至少一个接触结构，接触结构包括：第一金属接触和第二金属接触，第一金属接触位于多晶硅层上，第二金属接触位于衬底上，第一金属接触和第二金属接触连接。这样，通过在多晶硅层上设置第一金属接触，在衬底上设置第二金属接触，并将第一金属接触和第二金属接触连接在一起，从而将多晶硅层上的热量通过第一金属接触以及第二金属接触传递至衬底中，利用金属的导热性以及衬底的散热能力，降低多晶硅层的温度，提高电阻的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种电阻器件结构
本技术涉及半导体
，特别涉及一种电阻器件结构。
技术介绍
电阻器是电子电路中应用最多的电子元件，电阻器在电路中的作用为：降低电压，分配电压，限制电流等。目前，较为常用的电阻器为多晶硅电阻器，但是多晶硅电阻器在较高温度作用下阻值具有不稳定性，尤其是处于有瞬间大电流的电路中时，由于焦耳热效应，多晶硅层的电阻在瞬间大电流时的瞬间温度会升高，导致电阻器阻值变大甚至烧坏。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种电阻器件结构，提高电阻器件在瞬间大电流时的电阻稳定性。为实现上述目的，本技术有如下技术方案：一种电阻器件结构，包括：衬底，所述衬底包括浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区上方的多晶硅层；以下至少一个接触结构；每一个所述接触结构均包括第一金属接触和第二金属接触；所述第一金属接触位于所述多晶硅层上，所述第二金属接触位于所述衬底上，所述第一金属接触与所述第二金属接触连接。可选的，所述第二金属接触与所述衬底之间连接有反偏PN结。<br>可选的，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电阻器件结构，其特征在于，包括：/n衬底，所述衬底包括浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区上方的多晶硅层；/n以下至少一个接触结构；/n每一个所述接触结构均包括第一金属接触和第二金属接触；/n所述第一金属接触位于所述多晶硅层上，所述第二金属接触位于所述衬底上，所述第一金属接触与所述第二金属接触连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种电阻器件结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区上方的多晶硅层；
以下至少一个接触结构；
每一个所述接触结构均包括第一金属接触和第二金属接触；
所述第一金属接触位于所述多晶硅层上，所述第二金属接触位于所述衬底上，所述第一金属接触与所述第二金属接触连接。


2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第二金属接触与所述衬底之间连接有反偏PN结。


3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第二金属接触的个数至少为两个；
则所述第二金属接触位于所述衬底上包括：
两个所述第二金属接触分别位于所述浅沟槽隔离区相对侧的所述衬底上。


4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述接触结构包括以下至少两个：第一接触结构和第二接触结构；
所述第一接触结构至少包括：一个所述第一金属接触，两个所述第二金属接触，两个所述第二金属接触分别位于所述浅沟槽隔离区的相对侧，所述一个第一金属接触和所述两个第二金属接触连接；
所述第二接触结构至少包括：一个所述第一金属接触，两个所述第二金属接...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志强，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42