【技术实现步骤摘要】
用于功率模块的热传递
本说明书总体涉及与模块有关的热传递技术。
技术介绍
通常，散热器或其他热传递技术可以将由半导体器件功率模块中包括的电子部件产生的热传递至例如周围的空气和/或液体冷却剂。通过将热传递或引导离开电子部件，可以将电子(例如半导体)部件的温度保持在期望的水平(例如，防止过热)。维持电子部件的温度以防止过热还可以防止损坏电子部件和/或包括这种部件的功率模块。过热以及对电子部件或相关的功率模块造成的任何损坏(例如，功率模块的翘曲)可能对这些部件和模块的可靠性产生负面影响。在一些技术中使用的热传递技术可能不期望用于某些应用。
技术实现思路
在一个总体方面，装置可以包括衬底、与该衬底的第一表面耦接的半导体管芯以及设置在该衬底的第二表面上的金属层。第二表面可以与第一表面相对。该装置还可以包括与金属层耦接的多个金属翅片以及与金属层耦接的金属环。金属环可以包围多个金属翅片。在另一总体方面，装置可以包括第一半导体管芯和直接键合金属衬底。半导体管芯可以与直接键合金属衬底的第一表面耦接。该装置还可以包括...
【技术保护点】
1.一种半导体器件装置，所述半导体器件装置包括：/n衬底；/n半导体管芯，所述半导体管芯与所述衬底的第一表面耦接；/n金属层，所述金属层设置在所述衬底的第二表面上，所述第二表面与所述第一表面相对；/n多个金属翅片，所述多个金属翅片与所述金属层耦接；和/n金属环，所述金属环与所述金属层耦接，所述金属环包围所述多个金属翅片。/n
【技术特征摘要】
20190604 US 62/856,918;20190716 US 16/512,6861.一种半导体器件装置，所述半导体器件装置包括：
衬底；
半导体管芯，所述半导体管芯与所述衬底的第一表面耦接；
金属层，所述金属层设置在所述衬底的第二表面上，所述第二表面与所述第一表面相对；
多个金属翅片，所述多个金属翅片与所述金属层耦接；和
金属环，所述金属环与所述金属层耦接，所述金属环包围所述多个金属翅片。
2.根据权利要求1所述的半导体器件装置，其中：
所述金属翅片具有正交于所述衬底的所述第二表面的高度；并且
所述金属环具有正交于所述衬底的所述第二表面的厚度，所述高度大于所述厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件装置，其中：
所述衬底的所述第一表面和所述衬底的所述第二表面具有第一宽度和第一长度；
所述金属环具有与所述第一宽度对齐的第二宽度和与所述第一长度对齐的第二长度；并且
所述金属环包括开口，所述开口的周边设置在所述多个金属翅片周围，
所述第二宽度大于所述第一宽度，并且所述第二长度大于所述第一长度，
所述开口具有与所述第一宽度和所述第二宽度对齐的第三宽度以及与所述第一长度和所述第二长度对齐的第三长度，
所述第三宽度小于所述第一宽度并且小于所述第二宽度，并且
所述第三长度小于所述第一长度并且小于所述第二长度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件装置，所述半导体器件装置进一步包括：
盖，所述盖与所述金属环耦接，所述盖包括通道，所述多个金属翅片设置在所述通道内；和
密封机构，所述密封机构设置在所述盖和所述金属环之间，
所述盖包括入口开口和经由所述通道与所述入口开口流体连通的出口开口。
5.根据权利要求4所述的半导体器件装置，其中所述密封机构包括设置在以下中的至少一个内的O形圈：
包括在所述盖中的凹槽；或
包括在所述金属环中的凹槽。
6.根据权利要求4所述的半导体器件装置，其中所述盖是第一盖，所述装置进一步包括：
模塑料，所述模塑料封装所述衬底和所述半导体管芯；和
第二盖，所述第二盖与所述模塑料耦接，
所述第一盖经由横向于所述衬底设置的耦接机构耦接到所述第二盖。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘仁弼，J·蒂萨艾尔，林承园，姜东旭，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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