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本实用新型提供一种电阻器件结构，包括：衬底，衬底包括浅沟槽隔离区，浅沟槽隔离区上方的多晶硅层，以及至少一个接触结构，接触结构包括：第一金属接触和第二金属接触，第一金属接触位于多晶硅层上，第二金属接触位于衬底上，第一金属接触和第二金属接触连接...
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