【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于一种用于测定半导体元件直流耐压的新型自动测试装置。一般公知的半导体元件耐压测试设备，如晶体管特性图示仪，作元件耐压测试一般只能达到一千伏以下;以人工调控测试电压，用图形曲线间接比较得出被测元件的击穿电压，测试速度慢、精度低、操作复杂;图示仪属于大型仪器，较笨重，且价格昂贵。其它一些半导体直流耐压专用测试设备也多为人工调控测试电压，给使用者带来极大不便。本专利技术的目的在于设计一种新型半体元件直流耐压测试设备，使之自动调控测试电压，测试精度较高，小巧轻便，操作简单，安全可靠，以便弥补一般公知的半导体元件直流耐压测试设备在功能上的不足。本专利技术的特点是由自动恒流测量电路与自动步进调压电路，以单方向迭加方法组成了耐压测试系统，自动调控测试电压，低自0.1伏，高达2000伏，耐压测量电流多档可选;以普通数字式或指针式直流电压表作耐压示值，采取偏移电补偿表头的分流，提高了测试读数精度;由于采用了单方向迭加技术，整机电路均以中低压元件构成，造价较低。以下将结合附图对本专利技术作进一步详细说明。附图说明图1是本专利技术的逻辑框图。图2是本专利技术的自动恒流...
【技术保护点】
一种用于测定半导体元件直流耐压的新型自动测试器，其特征是：该测试器包括自动恒流测压系统ＳＡ和自动步进调压系统ＳＢ两部分，自动恒流测压系统ＳＡ由测量与取样单元１、恒流控制单元２组成，自动步进调压系统ＳＢ由区间电压比较单元３、步进电压控制单元４、步进电压驱动单元５、辅助步进电压插入单元６组成；测量与取样单元１由开关ＳＷ１、ＳＷ２、Ｋ，电阻Ｒ１－Ｒ１０、Ｒ３７－Ｒ４０，稳压二极管Ｄ１、Ｄ９，外供电源Ｅ３和接线端子Ｐ１－Ｐ４构成，恒流控制单元２由运算放大器Ａ１，三极管Ｔ０１、Ｔ０ ２，二极管Ｄ２、Ｄ３，电阻Ｒ１１－Ｒ１４和外接主电源Ｅ１，电路工作电源１Ｖ＋、１Ｖ－组成，区间电...
【技术特征摘要】
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