【技术实现步骤摘要】
一般来说，本专利技术涉及晶体三极管极限参数测试装置，更为具体地讲，是涉及晶体三极管反偏二次击穿能量ESB的测试装置。众所周知，晶体管的击穿电压可以分为一击穿和二次击穿，其中一次击穿是可逆的和非破坏性的击穿现象;而二次击穿则是不可逆的并导致晶体管破坏的击穿现象。高频、高速功率晶体管在以电感为负载并反偏的电路中常常发生击穿烧毁现象，这往往是由于称之为反偏二次击穿的发生所致。然而，高频、高速功率晶体管恰恰又广泛地应用在以电感为负载并反偏的工作状态，这些应用场合诸如有电台末级失谐时、磁偏转放大器(电视机行扫描输出级、雷达显示器末级)、开关电源、继电器激励级、点火电路等等。为此，无论对于电路设计，还是对于晶体管制造而言，反偏二次击穿都是一个极为重要的参数。附图说明图1 是晶体管发生反偏二次击穿的典型电路及与之有关的波形。其中图1a为典型电路，图1b为驱动脉冲的波形，图1c为表示发生反偏二次击穿的晶体管集电极电压波形，图1d为晶体管的集电极电流波形。图1a中晶体管的集电极通过负载电感L及其电阻分量RL连接到电源电压VCC，其基极有电源VBE通过电阻RBE进行反偏。同时接有内阻为...
【技术保护点】
一种晶体管反偏二次击穿测试装置，该装置的被测晶体管的集电极Ｃ通过已知电感量的可调电感器与可调恒流源相连接，被测管的基极设有偏置电阻Ｒ↓［ＢＥ］和反偏电源Ｖ↓［ＢＥ］，被测管的发射极接地，连续的测试脉冲是通过脉冲发生器经门电路经驱动电路与集电极电流同步的方式送入基极的，该门电路受控于一个Ｒ－Ｓ触发器，在基极还设置有反偏二次击穿检测器，检测到表征反偏二次击穿时驱动单稳及Ｒ－Ｓ触发器、进行反偏二次击穿指示；终止测试操作，其特征在于，在被测晶体管的集电极设置有独立保护电路，该电路包括：负沿检测器，检测集电极出现的任何负沿；并输出一个脉冲；单稳触发器，接收来自负沿检测器的脉冲，输出一...
【技术特征摘要】
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