【技术实现步骤摘要】
本技术涉及功率器件领域，尤其涉及一种内匹配的高频大功率晶体管。技术背景 大尺寸微波功率晶体管由于工作频率高、管芯的输入输出阻抗较低，寄生效应影响严重，使得阻抗匹配网络的设计越来越困难，若直接将管芯装入管壳封装，加上管壳分布参数的影响，使得它与特性阻抗为50ohm的微波系统匹配更加困难，大大限制了晶体管的功率输出和工作带宽。因此对微波功率管发展了一种内匹配技术，即在封装管壳内部采用MIM电容(金属-绝缘体-金属电容)和键合线构成阻抗匹配电路，直接与晶体管管芯相连，减少寄生参量的影响。另一方面，在大尺寸微波功率晶体管的研制中，随着功率器件尺寸的不断增大，功率器件出现增益高、相位不一致性高、寄生效应严重等问题，很可能导致各种振荡，从而直接影响到高频功率器件的正常工作，甚至导致其烧毁。为了提高功率晶体管的稳定性，通常在晶体管栅极端口串联RC网络，该网络可以很好的改善晶体管的稳定性，但是它极大的限制了晶体管输入匹配网络的带宽，而且有时非常不便于装配；如果将RC网络加载在射频信号输入端口，装配简单易行，而且对晶体管的输入阻抗影响较小，但是这种连接方式并不能改善很多高增益...
【技术保护点】
一种内匹配的高频大功率晶体管，包括晶体管(14)、输入匹配网络、输出匹配网络和稳定网络；其特征在于，所述稳定网络由电阻(3)、电容(6)、第一电感(7)和第二电感(8)串联构成，所述稳定网络两端分别与所述晶体管(14)的栅极(9)和漏极(10)相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：戈勤，郑英奎，彭铭曾，刘新宇，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：实用新型
国别省市：
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