【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电场分布的测量技术，具体地说，它涉及工作状态下半导体激光器中电场分布的测量方法及装置。目前，半导体激光器性能的优劣，通常是由伏安特性、光功率-电流特性和阈值电流密度、模式特性、光谱特性和线宽等来表征。但对半导体激光器而言，其载流子限制特性，即对注入载流子限制能力的强弱，以及注入电流扩展的大小，直接与半导体激光器的量子效率、阈值电流密度、光功率-电流特性、模式和温度特性等密切相关，因此人们设计了各种不同的结构来改善半导体激光器载流子的限制特性。过去，设计半导体激光器时，有人采用数值分析法，利用计算机模拟出其中的电场分布作为依据。但是假设的模型通常是近似的，条件是理想化的，因此模拟的结果与实际半导体激光器的情况存在差别。对于每一个具体制作的半导体激光器而言，由于工艺重复性的问题，情况更是大相径庭。由专利技术人所发展的连续波电光检测技术是一种适用于稳态电场测量的新方法，其测量方法及实验装置是将探测激光准直后，聚焦在具有电场分布的被测样品上，探测激光与电场平行，成纵向电光反射检测方式，把经过样品中电场调制的探测激光偏振的变化，转变为激光强度的变化，再由...
【技术保护点】
利用连续波电光检测技术测量半导体激光器电场分布的方法，其中包括将探测激光准直后，聚焦在具有电场分布的被测样品上，把经过样品中电场调制的探测激光偏振的变化，转变为激光强度的变化，再由光电探测器变成电信号，输入锁相放大器读出，用红外摄像仪监控探测激光在样品上的扫描测量位置，其特征在于所述样品是处于工作状态的半导体激光器，聚焦的探测激光在其芯片的解理面上垂直透射，其方向与被测电场方向正交，被测半导体激光器本身发出的激光经分离和／或滤去。
【技术特征摘要】
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