集成到半导体衬底中的磁通闸门敏感元件及其制造方法技术

一种磁通闸门敏感元件被集成在半导体衬底上。该元件有两个棒形软磁芯或者一个矩形环软磁芯，从而在半导体衬底上形成闭合磁路。它带有由金属层形成的励磁线圈，呈组合结构，按照数字“８”的形状缠绕在两个棒形磁芯组合外面或者矩形环磁芯两个长边组合外面；或者呈分离结构，按照数字“８”的形状分别缠绕在两个棒形磁芯上或者矩形环磁芯的两个长边上。另外，还有一个耦合线圈，也形成在两个棒形磁芯上或者矩形环磁芯的两个长边上，呈组合结构，按照螺线管的形状缠绕在两个棒形磁芯组合整体的外面或者矩形环磁芯两个长边组合的外面；或者呈分离结构，按照螺线管的形状分别缠绕在两个棒形磁芯上或者矩形环磁芯的两个长边上。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般来说涉及一种磁通闸门敏感元件(fluxgate sensor)，特别是涉及。本专利申请是在2002年3月14日提出的编号为NO.2002-13945韩国专利申请的基础上提出的，该专利申请将作为本专利申请的参考。
技术介绍
通过观察各种各样的物理现象可以证明磁能的存在，而磁通闸门敏感元件可以使人类间接地察觉到磁能，因为只凭借人类的感觉器官如像眼、耳等是不可能察觉到磁能的。就磁通闸门敏感元件而言，采用一种带软磁性线圈的磁性敏感元件已经使用了很长时间。通常，磁性敏感元件是将线圈缠绕在一种由带状软磁性材料制成的尺寸相对较大的棒形芯子上或者环形芯子而成。此外，还可以利用电子线路来得到与被测量磁场成正比的磁场。然而，传统的磁通闸门敏感元件存在下列问题。首先是在结构上，由于磁通闸门敏感元件的线圈是缠绕在由带状软磁性材料制成的尺寸较大的棒形芯子上或者环形芯子上，因而生产成本高，整个系统的体积也比较大。另外，由于励磁线圈和被检测磁场中磁通量的改变，使得磁通量的泄漏成为不可避免。因此，高的灵敏度不能得到保证。
技术实现思路
本专利技术将克服现有技术存在的上述问题。因此，本专利技术的目的之一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁通闸门敏感元件包括：软磁芯，在半导体衬底上形成闭合磁路；形成为第一金属薄膜的励磁线圈，缠绕在软磁芯上并被设置在第一平面内；以及耦合线圈，也被设置在第一平面内，形成为第二金属薄膜，缠绕在软磁芯上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔源悦，罗敬远，崔相彦，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]