刻蚀方法技术

本发明专利技术提供了一种刻蚀方法，包括：首先，提供一待刻蚀层；然后，在所述待刻蚀层上形成图案化的光刻胶层；其次，对所述图案化的光刻胶层中的顶部和侧壁的光刻胶进行离子注入工艺，以形成光刻胶外壳，且利用阴影效应计算所述离子注入工艺中的离子注入的倾斜角θ；最后，以形成有所述光刻胶外壳的所述图案化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述待刻蚀层。本发明专利技术通过对图案化的光刻胶层中的顶部和侧壁的光刻胶进行离子注入工艺，形成光刻胶外壳，能够减少图案化的光刻胶层在刻蚀过程中的衰减，以及增加光刻胶的厚度选择性。

Etching method

【技术实现步骤摘要】
刻蚀方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种刻蚀方法。
技术介绍
刻蚀是半导体光电子器件制备过程中一项重要工艺，其目的是通过物理或化学的方法从半导体材料晶片表面选择性地去除材料以形成所需台面或图形。刻蚀工艺分为干法刻蚀和湿法刻蚀两种。干法刻蚀的图形精度和各向异性度都较高，且各项参数的可控性较好；湿法刻蚀具有良好的可重复性，具有操作简单、刻蚀速率快、无毒或低毒、良好的可重复性等优点。在刻蚀工艺过程中，不需要刻蚀的区域会被光刻胶遮挡住，而光刻胶在刻蚀的过程中也会出现衰减，光刻胶会因为衰减而产生尖顶的形状，就有可能会发生不需要刻蚀的区域被光刻胶遮挡不住的问题，而目前只能通过增加光刻胶的厚度来避免上述不需要刻蚀的区域被光刻胶遮挡不住的问题。但是，当光刻胶的厚度超过CD（关键尺寸）的4倍时，光刻胶的图案就非常容易发生倒塌的现象。因此，在要求CD值小而蚀刻深的工艺中，光刻胶的厚度选择成为了挑战。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种刻蚀方法，以减少图案化的光刻胶层在刻蚀过程中的衰减，以及增加光刻胶厚度的选择性。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：/n提供一待刻蚀层；/n在所述待刻蚀层上形成图案化的光刻胶层；/n对所述图案化的光刻胶层中的顶部和侧壁的光刻胶进行离子注入工艺，以形成光刻胶外壳，所述离子注入工艺中注入的能量要保证离子注入的深度小于所述待刻蚀层被蚀刻的深度，且利用阴影效应计算所述离子注入工艺中的离子注入的倾斜角θ，所述图案化的光刻胶层包括n个区域，分别计算每一区域的arc tan（A/B），所述倾斜角θ≤min{arc tan（A

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：
提供一待刻蚀层；
在所述待刻蚀层上形成图案化的光刻胶层；
对所述图案化的光刻胶层中的顶部和侧壁的光刻胶进行离子注入工艺，以形成光刻胶外壳，所述离子注入工艺中注入的能量要保证离子注入的深度小于所述待刻蚀层被蚀刻的深度，且利用阴影效应计算所述离子注入工艺中的离子注入的倾斜角θ，所述图案化的光刻胶层包括n个区域，分别计算每一区域的arctan（A/B），所述倾斜角θ≤min{arctan（A1/B1），arctan（A2/B2），....，arctan（An/Bn）}，其中，A为所述图案化的光刻胶层中的光刻胶图案之间的沟槽线宽，B为所述图案化的光刻胶层中的光刻胶图案之间的沟槽深度，A1和B1分别为第1区域的光刻胶图案之间的沟槽线宽和沟槽深度，A2和B2分别为第2区域的光刻胶图案之间的沟槽线宽和沟槽深度，An和Bn分别为第n区域的光刻胶图案之间的沟槽线宽和沟槽深度，n为正整数；以及，
以形成有所述光刻胶外壳的所述图案化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述待刻蚀层。


2.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述离子注入工...

【专利技术属性】
技术研发人员：程挚，朱红波，郭宜婷，李昌达，方晓宇，
申请(专利权)人：南京晶驱集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32