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本发明提供了一种刻蚀方法，包括：首先，提供一待刻蚀层；然后，在所述待刻蚀层上形成图案化的光刻胶层；其次，对所述图案化的光刻胶层中的顶部和侧壁的光刻胶进行离子注入工艺，以形成光刻胶外壳，且利用阴影效应计算所述离子注入工艺中的离子注入的倾斜角θ...
该专利属于南京晶驱集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京晶驱集成电路有限公司授权不得商用。

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