半导体装置及半导体测定装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及在半导体装置外部端子的电流电压测定时不需要开尔文探测器及电压测定装置的半导体装置及半导体测定装置。半导体装置２１０设有：用于连接负载的端子Ａ，用于向负载提供电流的电流驱动用晶体管Ｍ１，比较端子Ａ和基准电压Ｖｒｅｆ的比较器２１１，与比较器２１１的输出端连接的端子Ｂ。当端子Ａ达到基准电压时，半导体装置２１０使从端子Ｂ输出的信号电平变化。半导体测定装置２２０读取端子Ｂ输出的信号电平变化时刻的端子Ａ电流值，因此，即使不测定端子Ａ电压，也能够测定端子Ａ电压和电流值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置及半导体测定装置。
技术介绍
在内置向照明用LED(发光二极管)或显示用LED提供电流的电流 驱动用晶体管的半导体装置中，与电流驱动用晶体管的输出端连接的外 部端子的规格均有规定，例如，当外部端子的电压为规定电压(例如,0.4V) 时，负载电流为规定电流(例如,300mA)以上。作为向LED供给电流的半导体装置,例如，日本特开2002-319707号 公报的图15中公开了如下所述的LED驱动电路。图l表示上述公报的图 15所示的现有的LED驱动电路图。电源电压VDD施加于LED驱动电路100的电源端子IO上。在恒流发 生电路15中，误差放大电路12将基准电压电路11的输出电压Vref与电阻 13的电压Va的差电压放大,该被放大的差电压控制晶体管14的栅电压。 LED驱动电路100的外部端子1及2分别连接于LED19和LED20。这里， 与流过电阻13的电流相同的电流流过晶体管14及16。在LED驱动电路 100中，构成电流反射镜电路的晶体管16、 17、 18具有相同的特性，因此， 与晶体管16相同的电流流过晶体管17、 18。由于电流通过该晶体管17、 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具有用于连接负载的第一外部端子，内置用于向上述负载提供电流的电流驱动用晶体管，其特征在于，包括：比较器，用于比较上述第一外部端子电压和基准电压；第二外部端子，与上述比较器的输出端连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：岸冈俊树，志和屋阳一，
申请(专利权)人：株式会社理光，
类型：发明
国别省市：JP[日本]