【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术针对用于确保半导体装置中的可靠性，且尤其用于提供晶圆级老化的设备和 方法。
技术介绍
半导体晶圆通常包含多个实质上隔离的含有电路的"晶粒"或"芯片"，其通过划 片线区域而彼此分离。在正常的集成电路生产流程中，将已完成制造的集成晶圆切割成 许多个别晶粒。包含在晶圆内的个别晶粒通过锯切而分离，且个别地封装或以多芯片模 块的形式封装。接着将这些晶粒安装到个别插槽中，接着可对所述个别插槽进行老化， 且使用标准测试设备和夹具对所述个别插槽进行测试。对越来越小的消费型装置(例如，无线电话和PDA)的需求已导致更小的半导体装 置封装，且甚至导致在一些装置中使用裸(未经封装的)晶粒。特定半导体晶圆上并非所有晶粒均完全起作用； 一些晶粒具有制造缺陷。某些缺陷 不会在制造后立即展现出来。举例来说，两个导体之间的绝缘氧化物层可能在特定区域 中过分薄。电压和温度应力将导致过分薄的绝缘氧化物的所述特定区域破裂，从而导致 两个导体之间的短路，其可在电测试期间被检测出来。如果制造商能够利用已知良好晶粒(known good die， KGD)，那么可大大减少更换 存在故障的封装零...
【技术保护点】
一种用于执行晶圆级测试序列的方法，其包含： 将所述晶圆提供到测试腔室中；和 经由无线信号将功率和测试起始信号输出到晶圆。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈健，
申请(专利权)人：桑迪士克股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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