集成硅微电阻式加速度传感器及其制造加工方法技术

本发明专利技术所提供的一种集成硅微电阻式加速度传感器及制造加工方法，包括基座、壳体，由八根为应变梁支承的质量块，压敏电阻及电桥电路所构成检测芯片，主要采用微机械专用双抛硅晶片、ＳｉＯ↓［２］保护层、光刻、磷扩散和磷离子注入、退火（硅片）、ＥＰＷ各向异性腐蚀和ＲＩＥ腐蚀等加工工艺方法。它的测量部分为整体结构，抗过载能力强，使用一个传感器可以进行一维到三维和任意方向的加速度检测。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是属于测试传感器
，涉及到一种。加速度传感器是测量各种机械、车辆、船舶、航空和航天器的运动参数和振动数据的常用传感器，传统的加速度传感器结构有压电式。它由一个或更多的装在质量块下的压电片，并通过弹簧压紧在一个相当厚的金属基座上，其外有保护压电片的壳体，在一定频率范围内，压电片所呈现的电荷量将和传感器所承受的加速度成正比。如外体固定型的弹簧与壳体禁固在一起，基座、壳体是弹簧一质量系统的一部分，其缺点是外界的温度、噪声和试件的变形将由外壳及基座反应而影响加速度的输出，其输出的信号小，输出阻抗高。另外，还有应变式加速度传感器，采用质量块、弹性梁、应变计、基座和壳体结构。虽然克服压电式加速度传感器的上述缺点，但是其结构使制作的加速度传感器较大，影响了使用范围。随着大规模集成电路，芯片制造技术，及近几年来微机械加工技术的发展。产生了在硅晶片(半导体)上形成金属薄膜，经刻蚀制造出了半导体加速度传感器。中国专利97114505．9和9711322是一种半导体加速度传感器和其制造方法。它是由悬臂梁、质量块、上下挡块，梁上有扩散电阻，以及基座和壳体所构成，整个测量构件装在一个陶瓷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成硅微电阻式加速度传感器，包括基座（１），装在基座上起保护作用的壳体（２），由应力敏感部分，质量块体部分，压敏电阻及电桥电路所构成的检测芯片（３）；其特征是所述的检测芯片在其中心是微动的质量块（４），在质量块周围对称分布着二、四或者八根梁，用于支承质量块，所述敏感部分为梁（５）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张文栋，李永红，熊继军，董海峰，刘俊，郭涛，张斌珍，孟令军，
申请(专利权)人：华北工学院微米纳米技术研究中心，
类型：发明
国别省市：14[中国|山西]