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本发明所提供的一种集成硅微电阻式加速度传感器及制造加工方法，包括基座、壳体，由八根为应变梁支承的质量块，压敏电阻及电桥电路所构成检测芯片，主要采用微机械专用双抛硅晶片、ＳｉＯ↓［２］保护层、光刻、磷扩散和磷离子注入、退火（硅片）、ＥＰＷ各向...该专利属于华北工学院微米纳米技术研究中心所有，仅供学习研究参考，未经过华北工学院微米纳米技术研究中心授权不得商用。
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本发明所提供的一种集成硅微电阻式加速度传感器及制造加工方法，包括基座、壳体，由八根为应变梁支承的质量块，压敏电阻及电桥电路所构成检测芯片，主要采用微机械专用双抛硅晶片、ＳｉＯ↓［２］保护层、光刻、磷扩散和磷离子注入、退火（硅片）、ＥＰＷ各向...