一种低成本MOSFET模块制造技术

本发明专利技术公开了一种低成本MOSFET模块，包括MOSFET晶片、MOSFET基板和绑定线；MOSFET晶片通过绑定线和MOSFET基板固定连接，且MOSFET晶片和MOSFET基板通信连接。本发明专利技术的晶圆的一致性好，封装的模块电气特性好，且具有产品开发周期短，开发成本低和开发灵活的优势。体积小，杂散电感低，成本低，节省大部分的封装成本，如模具、MOSFET框架和塑封料等。热阻低，晶片直接贴于基板上，减少框架等中间层。多场景且灵活的应用场合，可根据需求来进行不同的布局。且无需开模，开发周期短。

【技术实现步骤摘要】
一种低成本MOSFET模块
本专利技术属于电力电子
，具体涉及一种低成本MOSFET模块。
技术介绍
MOSFET在电机控制器应用中常采用多颗单管并联的或者是MOSFET模块的方案以获得更大的功率输出。单管并联方案，即使用多颗的单管MOSFET并联来提高设计产品的过流能力。不同的单管由于可能是不同的批次，造成电气特性出现差异，在并联使用中会增加MOSFET器件的失效率；同时增加产品开发难度和成本以及产品的开发周期；增加产品的生产成本以及生产周期。单管并联方案虽然成本较低，但是单管并联方案存在热阻高、由于单管特性不一致而导致的电气特性较差和安装工序多等缺陷。这些缺陷常常使用MOSFET模块来解决，但是MOSFET模块的成本又比较高。MOSFET模块化方案，即将多颗MOSFET的晶圆并联封装至一起，将相同电气特性的引脚引出，以提高产品的过电流能力以及降低应用开发的难度。MOSFET模块的开发需要开通模具，在初期开发时会造成产品开发周期长，开发成本高。MOSFET模块一经定型无法更改，灵活性差；如若有新的需求，需要重新开发。在这种背景下提出了一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低成本MOSFET模块，其特征在于，包括MOSFET晶片(1)、MOSFET基板(11)和绑定线(9)；/n所述MOSFET晶片(1)通过绑定线(9)和MOSFET基板(11)固定连接，且所述MOSFET晶片(1)和MOSFET基板(11)通信连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种低成本MOSFET模块，其特征在于，包括MOSFET晶片(1)、MOSFET基板(11)和绑定线(9)；
所述MOSFET晶片(1)通过绑定线(9)和MOSFET基板(11)固定连接，且所述MOSFET晶片(1)和MOSFET基板(11)通信连接。


2.根据权利要求1所述的低成本MOSFET模块，其特征在于，所述MOSFET晶片(1)包括第一上桥晶片(1-1)、第二上桥晶片(1-2)、第一下桥晶片(1-3)和第二下桥晶片(1-4)；
所述第一上桥晶片(1-1)、第二上桥晶片(1-2)、第一下桥晶片(1-3)和第二下桥晶片(1-4)的结构相同，均包括MOSFET漏极(2)、MOSFET源极(3)和MOSFET门极(4)；所述第一上桥晶片(1-1)和第二上桥晶片(1-2)形成MOSFET模块的上桥臂；所述第一下桥晶片(1-3)和第二下桥晶片(1-4)形成MOSFET模块的下桥臂。


3.根据权利要求1所述的低成本MOSFET模块，其特征在于，所述MOSFET基板(11)包括从上至下依次固定连接的导电材料层(6)、绝缘绝热材料层(7)和散热材料层(8)；
所述导电材料层(6)和绝缘绝热材料层(7)之间以及绝缘绝热材料层(7)和散热材料层(8)之间均通过粘接的方式固定连接。


4.根据权利要求1所述的低成本MOSFET模块，其特征在于，所述导电材料层(6)包括依次设置的母线正极端(6-1)、上桥门极控制信号端(6-2)、相线信号输出端(6-3)、下桥源极控制信号输出端(6-4)、下桥门极控制信号端(6-5)、相线功率输出端(6-6)和母线负极端(6-7)。


5.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李亮亮，潘波，许俊，杨尧，
申请(专利权)人：成都赛力康电气有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51