电容及其制备方法、应用技术

本发明专利技术涉及电容及其制备方法、应用。电容中SiGe膜的沉积方法，包括：先向半导体基底上供应硅烷系气体，再供应SiGe膜所需的前驱体气体，进行沉积。本发明专利技术可以避免SiGe晶体应力对下层膜的损伤，减少电流泄露，提高电容量和器件运行速度。

【技术实现步骤摘要】
电容及其制备方法、应用
本专利技术半导体制备领域，特别涉及电容及其制备方法、应用。
技术介绍
电容器是大多半导体器件(例如DRAM、Flash、Logic等)的重要结构之一。在电容器的传统制造中，主要以掺杂的多晶硅(Poly-Si)为电极材料，采用低压化学气相沉积(LPCVD)法形成电极膜，但通常还要经过退火工艺，退火时容易引发大的电流泄露问题。为此，现有技术引进SiGe作为电极材料，可采用掺杂或非掺杂的。然而SiGe的沉积温度在400～430℃，且具有较高浓度的掺杂及Ge高含量，这导致生长过程中，会形成大晶粒尺寸的柱状结构的多晶体，其晶体应力会对下层膜(例如电介质膜)产生很大的机械压力，引起膜损伤，导致严重的电流泄露。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电容的制备方法，该方法在沉积上电极前预先沉积低温结晶的膜质，可以避免上电极晶体应力对电介质层的损伤，减少电流泄露，提高电容量和器件运行速度。为了实现以上目的，本专利技术提供了以下技术方案：一种电容的制备方法，包括：形成电容的电介质层；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容的制备方法，其特征在于，包括：/n形成电容的电介质层；/n向所述电介质层上供应低温结晶物质进行沉积成膜；/n供应电容上电极前驱体气体沉积形成上电极；/n其中，所述低温结晶物质的结晶温度低于所述电容上电极的结晶温度。/n

【技术特征摘要】
1.一种电容的制备方法，其特征在于，包括：
形成电容的电介质层；
向所述电介质层上供应低温结晶物质进行沉积成膜；
供应电容上电极前驱体气体沉积形成上电极；
其中，所述低温结晶物质的结晶温度低于所述电容上电极的结晶温度。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述低温结晶物质包括硅烷系气体。


3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述硅烷系气体选自以下中的至少一种：
二异丙基氨基硅烷，双(叔丁基氨基)硅烷，双(二乙基胺基)硅烷，六氯乙硅烷，三(二甲基氨基)硅烷。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述上电极为SiGe基材料。


5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述SiGe基材料包括B掺杂的SiGe。


6.根据权利要求5所述的沉积方法，其特征在于，所需的前驱体气体包括：S...

【专利技术属性】
技术研发人员：安重镒，李相遇，金成基，熊文娟，蒋浩杰，李亭亭，罗英，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11