量子点阵列电容器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种量子点阵列电容器及其制备方法，所述电容器包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一导电层；位于所述第一导电层上的第一介电层；位于所述第一介电层上的第二导电层；位于所述第二导电层上的第二介电层；以及交替形成导电层和介电层以得到多层电容器结构；其中，所述电容器形成为多层金字塔型阵列。上述阵列电容器由于采用金字塔阵列结构，在同样的晶圆面积上产生更大的电容；并且可以重复形成导电层及介电层，从而可以进一步提高单位面积上的电容密度。

【技术实现步骤摘要】
量子点阵列电容器及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种量子点阵列电容器及其制备方法。
技术介绍
在半导体
中，电容器被广泛使用，其可以作为滤波、去耦、旁路以及其他方面使用的基本部件。在现有的电容器制备过程中，通常在半导体衬底上依次形成绝缘层、底电极层、介电层、顶电极层，在顶电极层上可形成阻挡层、钝化层等，还提供与底电极层之间的电连接。由上述方法制备得到的电容器占据了晶圆上的相当大的一部分空间。此外，还需要设置用于电容器与外部电路连接的布线结构等，这进一步增大了电容器对晶圆表面空间的占用，并导致晶圆表面单位面积上的电容密度较小。然而，随着半导体技术工艺的发展，在单位晶圆上需要集成越来越多的半导体器件，这就要求每个电容器的尺寸需要越来越小且同时在晶圆表面单位面积上的电容密度越来越大才能符合半导体工艺设计的要求。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种量子点阵列电容器及其制备方法，以解决现有电容器电容密度较小的问题。根据第一方面，本专利技术实施例提供了一种量子点阵列电容器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点阵列电容器，其特征在于，所述电容器包括：/n半导体衬底；/n位于所述半导体衬底上的第一导电层；/n位于所述第一导电层上的第一介电层；/n位于所述第一介电层上的第二导电层；/n位于所述第二导电层上的第二介电层；以及/n交替形成导电层和介电层以得到多层电容器结构；/n其中，所述电容器形成为多层金字塔型阵列。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点阵列电容器，其特征在于，所述电容器包括：
半导体衬底；
位于所述半导体衬底上的第一导电层；
位于所述第一导电层上的第一介电层；
位于所述第一介电层上的第二导电层；
位于所述第二导电层上的第二介电层；以及
交替形成导电层和介电层以得到多层电容器结构；
其中，所述电容器形成为多层金字塔型阵列。


2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述第一导电层包括金字塔型。


3.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述第一介电层包括金字塔型。


4.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述第二导电层为金字塔型。


5.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述第二介电层包括金字塔型。


6.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述半导体衬底包括硅晶圆。


7.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述金字塔型包括倒立金字塔型。


8.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述金字塔的高度与底部长度之比值为0.6到0.8。


9.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述金字塔型的边长为10纳米到1微米。


10.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述金字塔型阵列各金字塔之间的距离为4纳米到60纳米。


11.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于：所述金字塔顶点为抛物线形。


12.根据权利要求11所述的电容器，其特征在于：所述抛物线的曲率为2纳米到10纳米。


13.根据权利要求7所述的电容器，其特征在于：所述倒立金字塔型的边长为10纳米到1微米。


14.根据权利要求7所述的电容器，其特征在于：所述倒立金字塔型结构各金字塔之间的距离为4纳米到60纳米。


15.根据权利要求7所述的电容器，其特征在于：所述倒立金字塔顶点为抛物线形。


16.根据权利要求15所述的电容器，其特征在于：所述抛物线的曲率为2纳米到10纳米。


17.根据权利要求1-16任一项所述的电容器，其特征在于：所述导电层的材料包括单晶硅、多晶硅或金属。


18.根据权利要求17所述的电容器，其特征在于：所述金属包括钛、铝、铜或铌。


19.根据权利要求1-16任一项所述的电容器，其特征在于：所述介电层的材料包括金属氧化物、氮化硅、聚酰亚胺、钛酸钡或锆酸钛酸铅。


20.根据权利要求19所述的电容器，其特征在于：所述金属氧化物包括二氧化硅。

【专利技术属性】
技术研发人员：王津洲，张汝京，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37