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本发明提供一种量子点阵列电容器及其制备方法，所述电容器包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一导电层；位于所述第一导电层上的第一介电层；位于所述第一介电层上的第二导电层；位于所述第二导电层上的第二介电层；以及交替形成导电层和介电层以得到...
该专利属于芯恩(青岛)集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩(青岛)集成电路有限公司授权不得商用。

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