一种椭圆通孔三维结构电感制造技术

技术编号:26246851 阅读:34 留言:0更新日期:2020-11-06 17:27
本实用新型专利技术公开了一种椭圆通孔三维结构电感,包括晶圆块、电容下极板和第一隔离介质层,所述晶圆块表面刻制电容下极板,电容下极板表面设置第一隔离介质层,第一隔离介质层上刻制第一通孔,第一通孔连通至电容下极板,并在第一隔离介质层上刻制电容上极板,电容上极板刻制第二隔离介质层,并在第二隔离介质层上刻制管脚窗口,晶圆块与电容下极板相对的一面刻制第二通孔,第二通孔连通至电容下极板,晶圆块下表面刻制背面金属走线,并在背面金属走线上刻制第三隔离介质层,本实用新型专利技术能够解决现有电感技术无法获得更好的品质因数,电感尺寸难以降低的技术问题,进而实现芯片小型化,提高芯片集成度。

【技术实现步骤摘要】
一种椭圆通孔三维结构电感
本技术涉及电子
,具体是一种椭圆通孔三维结构电感。
技术介绍
滤波器是由电容、电感和电阻组成的滤波电路。滤波器可以对电源线中特定频率的频点或该频点以外的频率进行有效滤除,得到一个特定频率的电源信号,或消除一个特定频率后的电源信号。现有技术开发的片上射频滤波器,使用平面螺旋走线方式实现电感,其具有工艺简单,面积小等优点。但随着频率的进一步提升及高性能无源器件的要求,这类电感的品质参数无法获得更大的突破,其损耗无法降低,使得此种电感在一些应用中无法满足性能要求。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种椭圆通孔三维结构电感,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种椭圆通孔三维结构电感,包括晶圆块、电容下极板和第一隔离介质层,所述晶圆块表面刻制电容下极板,电容下极板表面设置第一隔离介质层,第一隔离介质层上刻制第一通孔,第一通孔连通至电容下极板,并在第一隔离介质层上刻制电容上极板,电容上极板刻制第二隔离介质层,并在第二隔离介质层上刻制管脚窗本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种椭圆通孔三维结构电感,包括晶圆块(1)、电容下极板(2)和第一隔离介质层(3),其特征在于,所述晶圆块(1)表面刻制电容下极板(2),电容下极板(2)表面设置第一隔离介质层(3),第一隔离介质层(3)上刻制第一通孔(4),第一通孔(4)连通至电容下极板(2),并在第一隔离介质层(3)上刻制电容上极板(5),电容上极板(5)刻制第二隔离介质层(6),并在第二隔离介质层(6)上刻制管脚窗口(7),晶圆块(1)与电容下极板(2)相对的一面刻制第二通孔(8),第二通孔(8)连通至电容下极板(2),晶圆块(1)下表面刻制背面金属走线(9),并在背面金属走线(9)上刻制第三隔离介质层(10)。/n

【技术特征摘要】
1.一种椭圆通孔三维结构电感,包括晶圆块(1)、电容下极板(2)和第一隔离介质层(3),其特征在于,所述晶圆块(1)表面刻制电容下极板(2),电容下极板(2)表面设置第一隔离介质层(3),第一隔离介质层(3)上刻制第一通孔(4),第一通孔(4)连通至电容下极板(2),并在第一隔离介质层(3)上刻制电容上极板(5),电容上极板(5)刻制第二隔离介质层(6),并在第二隔离介质层(6)上刻制管脚窗口(7),晶圆块(1)与电容下极板(2)相对的一面刻制第二通孔(8),第二通孔(8)连通至电容下极板(2),晶圆块(1)下表面刻制背面金属走线(9),并在背面金属走线(9)上刻制第三隔离介质层(10)。


2.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈立均代文亮李苏萍吴浩昱
申请(专利权)人:上海芯波电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:上海;31

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