一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的倒装焊芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的倒装焊芯片封装结构，包括裸芯片和封装件，裸芯片包括裸芯片主体，裸芯片主体正面设置有裸芯片功能区域，在裸芯片功能区域周围设有若干第一引脚，裸芯片主体背面设置有金属层，金属层通过贯通裸芯片主体的若干TSV通孔与第一引脚形成电气连接；封装件包括基板、第一焊盘以及若干第一焊球，第一焊盘设置在基板上，裸芯片主体正面朝下安装在基板上，若干第一焊球设置在基板的底部，且通过贯通基板的若干通孔与第一焊盘形成电气连接，若干第一焊球之间通过金属相互连接；第一引脚与第一焊盘之间形成电气连接。本实用新型专利技术的倒装焊芯片封装结构，无需开发专用的屏蔽壳体，就可以实现抗电磁脉冲干扰。

【技术实现步骤摘要】
一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的倒装焊芯片封装结构
本技术属于电磁脉冲防护
，具体涉及一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的倒装焊芯片封装结构。
技术介绍
封装是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁——芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件建立连接。倒装焊技术是指IC芯片面朝下，与封装外壳或布线基板直接互连的一种技术。又称倒扣焊技术，其互连线短、寄生电容和寄生电感小，芯片的I/O电极可在芯片表面任意设置，封装密度高，目前已被广泛使用。随着微电子技术的发展，半导体集成电路已在通信、交通、能源、军事、国防等诸多重要领域得到广泛应用。但大量电子设备不可避免的共同工作，导致了电磁兼容问题的出现，尤其对于集成度不断提高的半导体器件，微波干扰以及翻转效应变得日益严重。外界各种电磁干扰，可以通过各种耦合途径输入电子系统，导致计算机出错、设备重启、仪器死机等问题，严重时会造成某些电子器件永久性失效，这些故障会对电子系本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的倒装焊芯片封装结构，其特征在于，包括裸芯片(100)和封装件(200)，其中，/n所述裸芯片(100)包括裸芯片主体(101)，所述裸芯片主体(101)正面设置有裸芯片功能区域(102)，在所述裸芯片功能区域(102)周围设有若干第一引脚(103)，所述裸芯片主体(101)背面设置有金属层(104)，所述金属层(104)通过贯通所述裸芯片主体(101)的若干TSV通孔(105)与所述第一引脚(103)形成电气连接；/n所述封装件(200)包括基板(201)、第一焊盘(202)以及若干第一焊球(203)，所述第一焊盘(202)设置在所述基板(201)上，所述裸芯...

【技术特征摘要】
1.一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的倒装焊芯片封装结构，其特征在于，包括裸芯片(100)和封装件(200)，其中，
所述裸芯片(100)包括裸芯片主体(101)，所述裸芯片主体(101)正面设置有裸芯片功能区域(102)，在所述裸芯片功能区域(102)周围设有若干第一引脚(103)，所述裸芯片主体(101)背面设置有金属层(104)，所述金属层(104)通过贯通所述裸芯片主体(101)的若干TSV通孔(105)与所述第一引脚(103)形成电气连接；
所述封装件(200)包括基板(201)、第一焊盘(202)以及若干第一焊球(203)，所述第一焊盘(202)设置在所述基板(201)上，所述裸芯片主体(101)正面朝下安装在所述基板(201)上，若干所述第一焊球(203)设置在所述基板(201)的底部，且通过贯通所述基板(201)的若干通孔(204)与所述第一焊盘(202)形成电气连接，若干所述第一焊球(203)之间通过金属相互连接；
所述第一引脚(103)与所述第一焊盘(202)之间形成电气连接。


2.根据权利要求1所述的具有高抗电磁脉冲干扰能力的倒装焊芯片封装结构，其特征在于，所述裸芯片(100)包括若干第二引脚(106)，所述第二引脚(106)呈阵列分布在所述裸芯片功能区域(102)内。


3.根据权利要求2所述的具有高抗电磁脉冲干扰能力的倒装焊芯片封装结构，其特征在于，所述封装件(200)包括第二焊盘(205)以及若干第二焊球(206)，其中，
所述第二焊盘(205)设置在所述基板(201)上，与所述裸芯片功能区域(102)的安装位置相对应，所述第二引脚(106)与所述第二焊盘(205)之间形成电气连接；
若干所述第二焊球(206)设置在所述基板(201)的底部，且与所述第二焊盘(205)之间形成电气连接。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：王起，赵文波，
申请(专利权)人：天水电子电器检测试验中心，
类型：新型
国别省市：甘肃;62