基于BJT的集成电路抗静电转接板制造技术

本实用新型专利技术涉及一种基于BJT的集成电路抗静电转接板，该转接板10包括：硅基衬底11、TSV孔12、隔离槽13、BJT14、插塞15、金属互连线16、凸点17及钝化层18；所述TSV孔12、隔离槽13及所述BJT14沿横向依次间隔地设置于所述硅基衬底11中；其中，所述TSV孔12中填充多晶硅材料；所述隔离槽13中填充二氧化硅材料；所述插塞15设置于所述TSV孔12与所述BJT14上下表面所述金属互连线16设置于所述TSV孔12与所述BJT14上表面的所述插塞15上；所述凸点17设置于所述TSV孔12与所述BJT14下表面的所述插塞15上；所述钝化层18设置于所述硅基衬底11上下表面。本实用新型专利技术提供的基于BJT的集成电路抗静电转接板，通过在TSV转接板上加工BJT作为ESD防护器件，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。

Integrated Circuit Antistatic Switchboard Based on BJT

The utility model relates to an integrated circuit antistatic adapter board based on BJT, which comprises: silicon substrate 11, TSV hole 12, isolation groove 13, BJT14, plug 15, metal interconnect 16, bump 17 and passivation layer 18; the TSV hole 12, isolation groove 13 and the BJT14 are arranged in the silicon substrate 11 horizontally in turn, in which the TSV hole 12 is filled with polycrystalline silicon material; The isolation groove 13 is filled with silica material; the plug 15 is arranged on the TSV hole 12 and the upper and lower surfaces of the BJT14, and the metal interconnect 16 is arranged on the TSV hole 12 and the said plug 15 on the upper surface of the BJT14; the bump 17 is arranged on the plug 15 on the TSV hole 12 and the lower surface of the BJT14; and the passivation layer 18 is arranged on the upper and lower surfaces of the silicon substrate 11. The integrated circuit antistatic adapter board based on BJT provided by the utility model enhances the antistatic capability of stacked packaging chips by processing BJT as ESD protection device on the TSV adapter board.

【技术实现步骤摘要】
基于BJT的集成电路抗静电转接板
本技术涉及半导体器件设计及制造领域，特别涉及一种基于BJT的集成电路抗静电转接板。
技术介绍
目前为止集成电路的特征尺寸已经低至7nm，在单个芯片上集成的晶体管数量已经到达百亿级别，伴随百亿级别的晶体管数量的要求，片上资源和互连线长度问题成为现今集成电路领域发展的瓶颈，3D集成电路被认为是未来集成电路的发展方向，它原有电路的基础上，在Z轴上层叠，以求在最小的面积上集成更多的功能，这种方法克服了原有集成度的限制，采用新兴技术硅片通孔(ThroughSiliconVias，简称TSV)，大幅度的提高了集成电路的性能，降低线上延迟，减小芯片功耗。在半导体行业里面，随着集成电路集成度的提高以及器件特征尺寸的减小，集成电路中静电放电引起的潜在性损坏已经变得越来越明显。据有关报道，集成电路领域的故障中有近35％的故障是由静电释放(Electro-Staticdischarge，简称ESD)所引发的，因此芯片内部都设计有ESD保护结构来提高器件的可靠性。然而不同芯片的的抗静电能力不同，在三维堆叠时抗静电能力弱的芯片会影响到封装后整个系统的抗静电能力，因此如何提高基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于BJT的集成电路抗静电转接板(10)，其特征在于，包括：硅基衬底(11)、TSV孔(12)、隔离槽(13)、BJT(14)、插塞(15)、金属互连线(16)、凸点(17)及钝化层(18)；所述TSV孔(12)、隔离槽(13)及所述BJT(14)沿横向依次间隔地设置于所述硅基衬底(11)中；其中，所述TSV孔(12)中填充多晶硅材料；所述隔离槽(13)中填充二氧化硅材料；所述BJT(14)包括基区(2041)、基区接触区(2042)、发射区(2043)和集电区(2044)，其中，所述基区接触区(2042)和所述发射区(2043)设置在所述基区(2041)区域内，所述集电区(2044)...

【技术特征摘要】
1.一种基于BJT的集成电路抗静电转接板(10)，其特征在于，包括：硅基衬底(11)、TSV孔(12)、隔离槽(13)、BJT(14)、插塞(15)、金属互连线(16)、凸点(17)及钝化层(18)；所述TSV孔(12)、隔离槽(13)及所述BJT(14)沿横向依次间隔地设置于所述硅基衬底(11)中；其中，所述TSV孔(12)中填充多晶硅材料；所述隔离槽(13)中填充二氧化硅材料；所述BJT(14)包括基区(2041)、基区接触区(2042)、发射区(2043)和集电区(2044)，其中，所述基区接触区(2042)和所述发射区(2043)设置在所述基区(204...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨亚敏，赵卫国，
申请(专利权)人：天水电子电器检测试验中心，
类型：新型
国别省市：甘肃,62