一种具有跨接连接结构的引线框架制造技术

本实用新型专利技术提出一种具有跨接连接结构的引线框架，包括下引线框架和上引线框架，下引线框架和上引线框架的两端均设有边框，边框直接通过中筋连接所述下引线框架上设有多个主引线单元，上引线框架上设有多个与主引线单元匹配的跳线单元，所述主引线单元和跳线单元均沿中筋均匀排列。本实用新型专利技术能够有效的解决芯片偏移旋转和冷却过程中芯片承受冷缩带来的剪切应力损伤问题。

【技术实现步骤摘要】
一种具有跨接连接结构的引线框架
本技术涉及集成电路引线框架
，更具体的说是涉及一种具有跨接连接结构的引线框架。
技术介绍
传统的贴片二极管框架由上下两片式框架使用石墨焊接盘，吸盘，吸笔等工装，治具，依次以人工将下引线框，下焊锡片，芯片，上焊锡片，上引线框定位在焊接盘中，送入回流焊炉加热到约360℃焊锡片完全熔化成液体，润湿并内聚在芯片与框架铜材接点之间，接着在冷却段焊锡液降温到296～287℃时冷凝为固态，将芯片与上下框架单体焊为一体，待出炉后下料。但是，传统方式的缺点在于：(1)石墨焊接盘中限制芯片在框架上偏移旋转的限位槽，越靠框架两长边外侧，因为铜质框架热膨胀量远大于石墨焊接盘，需要较大的让位空间，因此芯片偏移及旋转的情形严重，使芯片塑封后要承受不对称的结构应力，因此良率与可靠性较低。(2)因为框架铜材收缩系数大，自287℃凝固继续冷却的过程，芯片承受上下两片框架向定位销冷却收缩的反向拉力对芯片上下造成剪切应力，可能损伤芯片表面，芯片塑封后因结构应力使损伤随时间加长及温度变化而逐渐向PN结加深，导致反向耐压衰降漏流过大，良率与可靠性降低。(3)由于良率与质量过度依赖于大量熟练的人力，而人员的流动率高，新人到熟练的时间长，导致过高的废品率与质量问题又提高了成本，加上市场竞争价格逐年降低，人工成本也在快速增加，逐渐由获利趋向亏损。
技术实现思路
针对以上问题，本技术的目的在于提供一种具有跨接连接结构的引线框架，能够有效的解决芯片偏移旋转和冷却过程中芯片承受冷缩带来的剪切应力损伤问题。本技术为实现上述目的，通过以下技术方案实现：一种具有跨接连接结构的引线框架，包括下引线框架和上引线框架，下引线框架和上引线框架的两端均设有边框，边框直接通过中筋连接所述下引线框架上设有多个主引线单元，上引线框架上设有多个与主引线单元匹配的跳线单元，所述主引线单元和跳线单元均沿中筋均匀排列；所述主引线单元的两端分别与相邻的中筋固定连接，主引线单元包括：第一引脚和第二引脚，所述第一引脚与第二引脚以预设间距相对设置，第一引脚的一端与中筋连接，第一引脚的另一端连接有用于放置芯片的平台，所述第二引脚的一端与中筋连接；所述跳线单元的一端与中筋固定连接，跳线单元包括：与平台匹配的压片和跳线，跳线的一端与压片连接，跳线的另一端与中筋连接。进一步，所述第一引脚和第二引脚与中筋连接的一端均设有矩形镂空。进一步，所述第二引脚的另一端设有用于与跳线连接的梯形凹槽，所述梯形凹槽深度为0.15mm、下表面宽为0.2mm。进一步，所述第一引脚的另一端通过断差部与平台连接，所述断差部的上表面设有4组V型沟槽，断差部的下表面设有2组V型沟槽。进一步，所述断差部的中心位置设有圆形通孔，所述圆形通孔的半径为0.17mm。进一步，所述V型沟槽的槽深为0.03,mm，槽宽为0.04mm。进一步，所述压片上设有定位凹槽，跳线与中筋连接的一端设有下折弯。进一步，所述下引线框架上设有576个主引线单元。对比现有技术，本技术有益效果在于：1、本技术采用跨接连接结构，能够有效的解决芯片偏移旋转和冷却过程中芯片承受冷缩带来的剪切应力损伤问题。2、本技术的断差部的中心位置设有圆形通孔，能够有效的降低切断机械力，增加可供焊接面积。3、本技术的第二引脚的另一端设有用于与跳线连接的梯形凹槽，有效的实现上引线框架的安装限位。4、本技术的第一引脚的另一端通过断差部与平台连接，所述断差部的上表面设有V型沟槽，能够有效的组织封装过程中湿气进入封装体。5、本技术的第一引脚和下引线框架连接一端设有圆形镂空，有效增加了引线框架在不同温度环境下抗应力能力。由此可见，本技术与现有技术相比，具有实质性特点和进步，其实施的有益效果也是显而易见的。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1是本技术的下引线框架的结构示意图；图2是图1A处的局部放大图；图3是本技术的上引线框架的结构示意图；图4是图3B处的局部放大图；图5是本技术的主引线单元的结构示意图；图6是图5的侧视结构示意图；图7是本技术的跳线单元的结构示意图；图8是图7的侧视结构示意图；图9是本技术的组合结构示意图；图10是图9的侧视结构示意图；在附图中，各附图标记表示：1.下引线框架；11.第一引脚；12.平台；13.梯形凹槽；14.第二引脚；15.矩形镂空；17.圆形通孔；18.V型沟槽；19.主引线单元与下引线框架的分离位置；2.上引线框架；21.压片；22.跳线；3.中筋；4.主引线单元；5.跳线单元；30.芯片。具体实施方式下面结合附图对本技术的具体实施方式做出说明。如图1-4所示的一种具有跨接连接结构的引线框架，包括下引线框架1和上引线框架2，下引线框架1和上引线框架2的两端均设有边框，边框直接通过中筋3连接；所述下引线框架1上设有576个主引线单元4，上引线框架2上设有多个与主引线单元4匹配的跳线单元5，所述主引线单元4和跳线单元5均沿中筋3均匀排列。如图5、图6所示，主引线单元4的两端分别与相邻的中筋3固定连接。主引线单元4包括：第一引脚11和第二引脚14，所述第一引脚11与第二引脚14以预设间距相对设置，第一引脚11的一端与中筋3连接，第一引脚11的另一端连接有用于放置芯片的平台12，所述第二引脚14的一端与中筋3连接；第一引脚11和第二引脚14与中筋3连接的一端均设有矩形镂空15。矩形镂空15具体设在主引线单元与下引线框架的分离位置19，此设计以减少切断面积降低切断机械力，同时镂空位置在电镀面，增加切断面50％可焊面积(第一引脚11和第二引脚14宽度均为1.4mm)。第二引脚14的另一端设有用于与跳线22连接的梯形凹槽13，所述梯形凹槽13深度为0.15mm、下表面宽为0.2mm，与上引线框架(厚度0.15mm)契合，以增加在封装制程中上引线框架移动偏位，增加制程稳定性，及元件可靠性。第一引脚11的另一端通过断差部与平台12连接，所述断差部的上表面设有4组V型沟槽18，断差部的下表面设有2组V型沟槽18。V型沟槽18的槽深为0.03,mm，槽宽为0.04mm。此V型沟槽设计为防止元件在应用时潮湿环境中的湿气进入本体影响芯片工作。所述断差部的中心位置设有圆形通孔17，所述圆形通孔17的半径为0.17mm。其功能为增加元件结构强度，增强引线与封装树脂的粘合力，避免在第一引脚11与下引线框架1切断分离时以及弯脚成型时机械力造成的本体损伤。...

【技术保护点】
1.一种具有跨接连接结构的引线框架，包括下引线框架(1)和上引线框架(2)，下引线框架(1)和上引线框架(2)的两端均设有边框，边框直接通过中筋(3)连接；其特征在于，所述下引线框架(1)上设有多个主引线单元(4)，上引线框架(2)上设有多个与主引线单元(4)匹配的跳线单元(5)，所述主引线单元(4)和跳线单元(5)均沿中筋(3)均匀排列；/n所述主引线单元(4)的两端分别与相邻的中筋(3)固定连接，主引线单元(4)包括：第一引脚(11)和第二引脚(14)，所述第一引脚(11)与第二引脚(14)以预设间距相对设置，第一引脚(11)的一端与中筋(3)连接，第一引脚(11)的另一端连接有用于放置芯片的平台(12)，所述第二引脚(14)的一端与中筋(3)连接；/n所述跳线单元(5)的一端与中筋(3)固定连接，跳线单元(5)包括：与平台(12)匹配的压片(21)和跳线(22)，跳线(22)的一端与压片(21)连接，跳线(22)的另一端与中筋(3)连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有跨接连接结构的引线框架，包括下引线框架(1)和上引线框架(2)，下引线框架(1)和上引线框架(2)的两端均设有边框，边框直接通过中筋(3)连接；其特征在于，所述下引线框架(1)上设有多个主引线单元(4)，上引线框架(2)上设有多个与主引线单元(4)匹配的跳线单元(5)，所述主引线单元(4)和跳线单元(5)均沿中筋(3)均匀排列；
所述主引线单元(4)的两端分别与相邻的中筋(3)固定连接，主引线单元(4)包括：第一引脚(11)和第二引脚(14)，所述第一引脚(11)与第二引脚(14)以预设间距相对设置，第一引脚(11)的一端与中筋(3)连接，第一引脚(11)的另一端连接有用于放置芯片的平台(12)，所述第二引脚(14)的一端与中筋(3)连接；
所述跳线单元(5)的一端与中筋(3)固定连接，跳线单元(5)包括：与平台(12)匹配的压片(21)和跳线(22)，跳线(22)的一端与压片(21)连接，跳线(22)的另一端与中筋(3)连接。


2.根据权利要求1所述的具有跨接连接结构的引线框架，其特征在于：所述第一引脚(11)和第二引脚(14)与中筋(3)连接的一端均设有矩形镂空(15)。


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【专利技术属性】
技术研发人员：秦义文，颜国殷，范桂枝，王晓莉，
申请(专利权)人：阳信长威电子有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37